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单片集成器件及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510556045.5
申请日：
2025-04-29
公开(公告)号：
CN120357265A
公开(公告)日：
2025-07-22
发明(设计)人：
刘志强 付松 康俊杰 梁萌 伊晓燕 王军喜 李晋闽
申请人：
中国科学院半导体研究所
申请人地址：
100083 北京市海淀区清华东路甲35号
IPC主分类号：
H01S5/026
IPC分类号：
代理机构：
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人：
李婉婉
法律状态：
公开
国省代码：
北京市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-07-22 公开 公开
2025-08-08 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01S 5/026申请日:20250429
共 50 条
[1]
单片集成器件及其制备方法 [P]. 
刘志强 ;
付松 ;
康俊杰 ;
梁萌 ;
伊晓燕 ;
王军喜 ;
李晋闽 .
中国专利 :CN120453849A ,2025-08-08
[2]
一种GaN基集成器件及其制备方法 [P]. 
陈琳 ;
戴亚伟 ;
郑亮 ;
孙清清 ;
张卫 .
中国专利 :CN106252373A ,2016-12-21
[3]
集成器件及其封装方法 [P]. 
王星月 ;
田文 .
中国专利 :CN119400784A ,2025-02-07
[4]
三维单片集成器件结构及其制备方法 [P]. 
刘盛富 ;
胡云斌 ;
杨超 ;
刘海彬 ;
刘森 .
中国专利 :CN112928154B ,2021-06-08
[5]
HEMT与MIS LED单片集成器件及其制备方法 [P]. 
谢敏 ;
何吉海 ;
胡茜 ;
祝杰杰 ;
马晓华 .
中国专利 :CN120500181A ,2025-08-15
[6]
一种GaN单片集成器件及其制备方法 [P]. 
何俊蕾 ;
李思超 ;
刘逸夫 ;
沈晓安 .
中国专利 :CN119153464A ,2024-12-17
[7]
一种单片集成器件的制作方法及单片集成器件 [P]. 
韩宇 .
中国专利 :CN105914582B ,2016-08-31
[8]
一种驱动电路单片集成器件及其制备方法 [P]. 
周玉刚 ;
王国锴 ;
李良杰 ;
刘泽翔 ;
郭焱 ;
张荣 .
中国专利 :CN121078797A ,2025-12-05
[9]
一种基于体GaN材料的单片集成器件及其制备方法 [P]. 
陈琳 ;
郑亮 ;
戴亚伟 ;
孙清清 ;
张卫 .
中国专利 :CN106549031A ,2017-03-29
[10]
集成器件制造方法及相关产品 [P]. 
樊永辉 ;
曾学忠 ;
樊晓兵 ;
许明伟 .
中国专利 :CN111540712A ,2020-08-14
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