一种单片集成器件的制作方法及单片集成器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610389643.9

申请日：

2016-06-03

公开(公告)号：

CN105914582B

公开(公告)日：

2016-08-31

发明(设计)人：

韩宇

申请人：

申请人地址：

430223 湖北省武汉市东湖高新技术开发区华中科技大学科技园正源光子产业园

IPC主分类号：

H01S534

IPC分类号：

H01S5125 H01S522

代理机构：

北京汇泽知识产权代理有限公司 11228

代理人：

程殿军;张瑾

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-08-31	公开	公开
2016-09-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101680681281 IPC(主分类):H01S 5/34 专利申请号:2016103896439 申请日:20160603
2019-06-11	授权	授权

共 50 条

[1]

单片集成器件及其制备方法 [P].

刘志强 ;

付松 ;

康俊杰 ;

梁萌 ;

伊晓燕 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN120357265A ,2025-07-22

[2]

单片集成器件及其制备方法 [P].

刘志强 ;

付松 ;

康俊杰 ;

梁萌 ;

伊晓燕 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN120453849A ,2025-08-08

[3]

一种产生超短光脉冲的单片集成器件的制作方法 [P].

赵谦 ;

潘教清 ;

周帆 ;

王宝军 ;

王圩 .

中国专利 :CN1780076A ,2006-05-31

[4]

集成器件、电子设备及集成器件的制作方法 [P].

丁凯文 ;

朱恩成 ;

周汪洋 ;

胡洪 ;

陈磊 ;

张强 ;

王栋杰 .

中国专利 :CN115394776A ,2022-11-25

[5]

单片光子集成器件整片制作结构 [P].

黄永光 ;

朱洪亮 ;

王宝军 ;

张瑞康 .

中国专利 :CN111082311B ,2020-04-28

[6]

集成器件的制作方法 [P].

彭翔 ;

王奇伟 ;

陈昊瑜 ;

朱骏 .

中国专利 :CN120603317A ,2025-09-05

[7]

电吸收调制器与自脉动激光器单片集成器件的制作方法 [P].

梁松 ;

孔端花 ;

朱洪亮 ;

王圩 .

中国专利 :CN101826699B ,2010-09-08

[8]

CMOS上的PMUT的单片集成器件 [P].

绍达拉潘迪安·莫罕拉吉 ;

坎帝马翰帝·阿君库马尔 .

中国专利 :CN211957689U ,2020-11-17

[9]

一种深紫外波段发光单片集成器件及制备方法 [P].

田朋飞 ;

单心怡 ;

崔旭高 ;

顾而丹 .

中国专利 :CN113314561A ,2021-08-27

[10]

衬底转移外延生长的HEMT与LED的单片集成器件 [P].

李国强 ;

姚书南 ;

孙佩椰 ;

万利军 ;

阙显沣 .

中国专利 :CN212209491U ,2020-12-22

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