单片光子集成器件整片制作结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911422971.4

申请日：

2019-12-31

公开(公告)号：

CN111082311B

公开(公告)日：

2020-04-28

发明(设计)人：

黄永光朱洪亮王宝军张瑞康

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01S5026

IPC分类号：

H01S5223 H01S540

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

吴梦圆

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-04-28	公开	公开
2022-04-01	授权	授权
2020-05-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/026 申请日:20191231

共 50 条

[1]

光子集成耦合结构、光子集成器件 [P].

李思敏 ;

姚笑笑 ;

潘时龙 .

中国专利 :CN113848609A ,2021-12-28

[2]

光子集成器件及其制作方法 [P].

张子旸 ;

陈红梅 ;

黄源清 ;

刘清路 .

中国专利 :CN108242452B ,2018-07-03

[3]

具有介质结构的光子集成器件 [P].

威廉·S·瑞恩 .

中国专利 :CN108603980B ,2018-09-28

[4]

一种光子集成器件的制备方法及结构 [P].

姚广峰 ;

张鹏程 .

中国专利 :CN120742484A ,2025-10-03

[5]

一种光子集成器件的制备方法及结构 [P].

姚广峰 ;

张鹏程 .

中国专利 :CN120742484B ,2025-12-02

[6]

端子集成结构以及功率集成器件 [P].

敖萨米 ;

穆罕默德·阿巴斯 ;

刘鑫 ;

吴天宇 ;

王涛 ;

鲁凯 ;

柳伟佳 ;

熊可欣 .

中国专利 :CN222851681U ,2025-05-09

[7]

一种单片集成器件的制作方法及单片集成器件 [P].

韩宇 .

中国专利 :CN105914582B ,2016-08-31

[8]

基于FP激光器注入锁定的光生微波单片光子集成器件 [P].

孙长征 ;

黄缙 ;

熊兵 ;

罗毅 .

中国专利 :CN100570969C ,2008-08-06

[9]

一种光注入型混沌光子集成器件及其制备方法 [P].

赵清春 ;

殷洪玺 ;

窦欣宇 ;

曹暾 .

中国专利 :CN102882127A ,2013-01-16

[10]

硅光子集成芯片器件 [P].

陈建丰 .

:CN221746328U ,2024-09-20

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