基于GaN基功率与射频电子的单片集成器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111044280.2

申请日：

2021-09-07

公开(公告)号：

CN113990946A

公开(公告)日：

2022-01-28

发明(设计)人：

李国强

申请人：

申请人地址：

517099 广东省河源市高新技术开发区高新五路、泥金路西边

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L29423 H01L21335 C30B2516 C30B2814 C30B2940

代理机构：

广州容大知识产权代理事务所(普通合伙) 44326

代理人：

刘新年

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-28	公开	公开
2022-02-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20210907

共 50 条

[1]

单片集成器件及其制备方法 [P].

刘志强 ;

付松 ;

康俊杰 ;

梁萌 ;

伊晓燕 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN120357265A ,2025-07-22

[2]

一种GaN单片集成器件及其制备方法 [P].

何俊蕾 ;

李思超 ;

刘逸夫 ;

沈晓安 .

中国专利 :CN119153464A ,2024-12-17

[3]

单片集成器件及其制备方法 [P].

刘志强 ;

付松 ;

康俊杰 ;

梁萌 ;

伊晓燕 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN120453849A ,2025-08-08

[4]

一种单片集成GaN基高压功率器件及其制备方法 [P].

卢双赞 ;

潘嘉杰 ;

李思超 ;

向诗力 ;

尹雪兵 ;

高金锋 ;

贾汉祥 ;

程涛 ;

柳俊 .

中国专利 :CN121218676A ,2025-12-26

[5]

一种基于体GaN材料的单片集成器件及其制备方法 [P].

陈琳 ;

郑亮 ;

戴亚伟 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN106549031A ,2017-03-29

[6]

HEMT与MIS LED单片集成器件及其制备方法 [P].

谢敏 ;

何吉海 ;

胡茜 ;

祝杰杰 ;

马晓华 .

中国专利 :CN120500181A ,2025-08-15

[7]

耗尽型与增强型GaN单片集成器件 [P].

康剑 ;

任炜强 .

中国专利 :CN222928735U ,2025-05-30

[8]

GaN基集成器件及其制作方法 [P].

康玄武 ;

李鹏飞 ;

刘新宇 ;

郑英奎 .

中国专利 :CN111044575A ,2020-04-21

[9]

GaN HEMT集成器件及其制备方法 [P].

许明伟 ;

李海滨 ;

樊晓兵 .

中国专利 :CN112768409A ,2021-05-07

[10]

一种GaN基集成器件及其制备方法 [P].

陈琳 ;

戴亚伟 ;

郑亮 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN106252373A ,2016-12-21

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