集成型GaN器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010840368.4

申请日：

2020-08-20

公开(公告)号：

CN111710651B

公开(公告)日：

2020-09-25

发明(设计)人：

马飞邹鹏辉郑礼锭蔡泉福

申请人：

申请人地址：

313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发区陈王路与太湖路交叉口长兴国家大学科技园二分部北园8号厂房

IPC主分类号：

H01L218252

IPC分类号：

H01L27088

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

佟婷婷

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8252 申请日:20200820
2020-09-25	公开	公开
2020-11-13	授权	授权

共 50 条

[1]

GaN器件结构及其制备方法 [P].

莫炯炯 ;

郁发新 .

中国专利 :CN113097070B ,2021-07-09

[2]

GaN器件结构及其制备方法 [P].

王黎明 ;

郑晨焱 ;

肖霞 ;

何雍春 ;

张小辛 .

中国专利 :CN114582725A ,2022-06-03

[3]

GaN器件结构及其制备方法 [P].

莫炯炯 ;

郁发新 ;

王志宇 .

中国专利 :CN113053842A ,2021-06-29

[4]

GaN器件及其制备方法 [P].

张安邦 .

中国专利 :CN116913962B ,2024-06-25

[5]

GaN-HEMT器件及其制备方法 [P].

陈泓 ;

陈奋 ;

林志东 ;

刘潇 ;

田金勇 ;

刘成 ;

叶念慈 .

中国专利 :CN118763098A ,2024-10-11

[6]

桥式GaN器件及其制备方法 [P].

莫炯炯 ;

郁发新 ;

陈华 .

中国专利 :CN111540674A ,2020-08-14

[7]

硅基GaN晶圆级集成器件及其制备方法 [P].

廖龙忠 ;

周国 ;

李卉 ;

刘相伍 ;

刘育青 .

中国专利 :CN120302717A ,2025-07-11

[8]

异质集成GaN薄膜及GaN器件的制备方法 [P].

欧欣 ;

石航宁 ;

游天桂 .

中国专利 :CN113097124A ,2021-07-09

[9]

GaN基器件的单片集成结构及其制备方法 [P].

张兵 ;

莫炯炯 ;

郁发新 .

中国专利 :CN117690925B ,2024-05-14

[10]

GaN基器件的单片集成结构及其制备方法 [P].

张兵 ;

莫炯炯 ;

郁发新 .

中国专利 :CN117690925A ,2024-03-12

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