单片集成的垂直GaN Cascode器件结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510746794.4

申请日：

2025-06-05

公开(公告)号：

CN120711824A

公开(公告)日：

2025-09-26

发明(设计)人：

游淑珍王屹周挺雷毅龙王亮张进成郝跃

申请人：

西安电子科技大学西安电子科技大学广州研究院

申请人地址：

710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

IPC主分类号：

H10D84/82

IPC分类号：

H10D84/01 H10D30/47 H10D84/05 H10D62/85

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

梁柱

法律状态：

公开

国省代码：

陕西省西安市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-26	公开	公开
2025-10-17	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/82申请日:20250605

共 50 条

[1]

GaN基器件的单片集成结构及其制备方法 [P].

张兵 ;

莫炯炯 ;

郁发新 .

中国专利 :CN117690925B ,2024-05-14

[2]

GaN基器件的单片集成结构及其制备方法 [P].

张兵 ;

莫炯炯 ;

郁发新 .

中国专利 :CN117690925A ,2024-03-12

[3]

一种基于NiO键合的全GaN Cascode结构的单片集成器件及其制备方法 [P].

程新红 ;

胡运恒 ;

郑理 ;

周学通 .

中国专利 :CN120980944A ,2025-11-18

[4]

GaN器件结构及其制备方法 [P].

郁发新 ;

莫炯炯 .

中国专利 :CN113097151A ,2021-07-09

[5]

GaN基LED垂直芯片结构及其制备方法 [P].

童玲 ;

徐慧文 ;

李起鸣 .

中国专利 :CN105514230A ,2016-04-20

[6]

一种驱动电路单片集成器件及其制备方法 [P].

周玉刚 ;

王国锴 ;

李良杰 ;

刘泽翔 ;

郭焱 ;

张荣 .

中国专利 :CN121078797A ,2025-12-05

[7]

一种单片集成半导体阵列器件及其制备方法 [P].

刘召军 ;

刘亚莹 ;

张珂 ;

刘弈博 .

中国专利 :CN108847419A ,2018-11-20

[8]

一种GaN基垂直结构LED芯片结构及其制备方法 [P].

李睿 ;

齐胜利 ;

郝茂盛 ;

陶淳 ;

潘尧波 ;

张楠 ;

朱广敏 .

中国专利 :CN102255027B ,2011-11-23

[9]

GaN基发光器件制作方法及其器件结构 [P].

罗毅 ;

韩彦军 .

中国专利 :CN100364123C ,2005-12-14

[10]

GaN基半导体器件及其制备方法 [P].

贾海强 ;

赵明龙 ;

陈弘 ;

杜春花 ;

江洋 ;

马紫光 ;

王文新 .

中国专利 :CN111627856A ,2020-09-04

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