一种GaN基器件隔离的方法

被引：0

申请号：

CN202111376312.9

申请日：

2021-11-19

公开(公告)号：

CN114267629A

公开(公告)日：

2022-04-01

发明(设计)人：

王蓉开翠红皮孝东刘小平杨德仁

申请人：

申请人地址：

311200 浙江省杭州市萧山区建设3路733号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

H01L2906 H01L21335

代理机构：

杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289

代理人：

张解翠

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-01	公开	公开
2022-04-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20211119

共 50 条

[1]

一种GaN基器件隔离的方法 [P].

王蓉 ;

开翠红 ;

皮孝东 ;

刘小平 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN114267629B ,2025-12-16

[2]

一种A1GaN/GaN HEMT器件的隔离方法 [P].

张进城 ;

董作典 ;

郝跃 ;

郑鹏天 ;

秦雪雪 ;

刘林杰 ;

王冲 ;

冯倩 .

中国专利 :CN101252100A ,2008-08-27

[3]

GaN基复合衬底、GaN基器件及其制作方法 [P].

刘凯 .

中国专利 :CN115410971A ,2022-11-29

[4]

GaN基复合衬底、GaN基器件及其制作方法 [P].

刘凯 .

中国专利 :CN115410971B ,2025-11-25

[5]

混合极性的GaN器件 [P].

王现彬 ;

王颖莉 ;

刘振永 ;

于京生 .

中国专利 :CN105789281B ,2016-07-20

[6]

一种GaN基CMOS器件及其制备方法 [P].

卢星 ;

裴艳丽 ;

成声亮 ;

陈梓敏 ;

王钢 .

中国专利 :CN115497938B ,2025-10-17

[7]

一种GaN基CMOS器件及其制备方法 [P].

卢星 ;

裴艳丽 ;

成声亮 ;

陈梓敏 ;

王钢 .

中国专利 :CN115497938A ,2022-12-20

[8]

一种测量GaN基器件热可靠性的方法 [P].

赵妙 ;

刘新宇 ;

罗卫军 ;

郑英奎 ;

陈晓娟 ;

彭铭曾 ;

李艳奎 .

中国专利 :CN102955113A ,2013-03-06

[9]

LED结构及其GaN基衬底、GaN基衬底的制作方法 [P].

刘慰华 ;

程凯 .

中国专利 :CN116438665B ,2025-04-25

[10]

一种自支撑GaN基发光器件及其制备方法 [P].

潘新花 ;

黄靖云 ;

叶志镇 ;

丁萍 ;

张宏海 .

中国专利 :CN102110751A ,2011-06-29

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