一种GaN基CMOS器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210988175.2

申请日：

2022-08-17

公开(公告)号：

CN115497938B

公开(公告)日：

2025-10-17

发明(设计)人：

卢星裴艳丽成声亮陈梓敏王钢

申请人：

中山大学

申请人地址：

510275 广东省广州市新港西路135号

IPC主分类号：

H10D84/85

IPC分类号：

H10D62/17 H10D84/08

代理机构：

广州海心联合专利代理事务所(普通合伙) 44295

代理人：

冼俊鹏

法律状态：

授权

国省代码：

广东省广州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-17	授权	授权

共 50 条

[1]

一种GaN基CMOS器件及其制备方法 [P].

卢星 ;

裴艳丽 ;

成声亮 ;

陈梓敏 ;

王钢 .

中国专利 :CN115497938A ,2022-12-20

[2]

一种GaN基CMOS器件及其制备方法 [P].

敖金平 ;

蒲涛飞 ;

李柳岸 ;

李小波 .

中国专利 :CN111627908A ,2020-09-04

[3]

一种GaN基CMOS器件及其制备方法 [P].

敖金平 ;

朱霞 ;

左敏 ;

王霄 ;

李杨 ;

陈治伟 ;

白利华 .

中国专利 :CN116153933B ,2025-11-04

[4]

一种N面GaN基CMOS器件及其制备方法 [P].

武玫 ;

牛雪锐 ;

侯斌 ;

杨凌 ;

张濛 ;

朱青 ;

王冲 ;

马晓华 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114446892A ,2022-05-06

[5]

一种N面GaN基CMOS器件及其制备方法 [P].

武玫 ;

牛雪锐 ;

侯斌 ;

杨凌 ;

张濛 ;

朱青 ;

王冲 ;

马晓华 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114446892B ,2024-02-09

[6]

一种金属极性与氮极性结合的GaN基CMOS器件及其制备方法 [P].

张源涛 ;

张立东 ;

邓高强 ;

左长财 .

中国专利 :CN117613052A ,2024-02-27

[7]

一种金属极性与氮极性结合的GaN基CMOS器件及其制备方法 [P].

张源涛 ;

张立东 ;

邓高强 ;

左长财 .

中国专利 :CN117613052B ,2025-05-02

[8]

一种CMOS器件及其制备方法 [P].

刘聪 ;

孟昭生 ;

董信国 .

中国专利 :CN120152371A ,2025-06-13

[9]

一种CMOS器件及其制备方法 [P].

卢越野 ;

张帅君 ;

耿金鹏 .

中国专利 :CN119866054A ,2025-04-22

[10]

CMOS器件及其制备方法 [P].

毛淑娟 ;

罗军 ;

许静 .

中国专利 :CN109671621B ,2019-04-23

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