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一种金属极性与氮极性结合的GaN基CMOS器件及其制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311657662.1
申请日：
2023-12-05
公开(公告)号：
CN117613052B
公开(公告)日：
2025-05-02
发明(设计)人：
张源涛
张立东
邓高强
左长财
申请人：
吉林大学
申请人地址：
130012 吉林省长春市长春高新技术产业开发区前进大街2699号
IPC主分类号：
H10D84/85
IPC分类号：
H10D84/03
代理机构：
长春吉大专利代理有限责任公司 22201
代理人：
王立文
法律状态：
授权
国省代码：
吉林省
长春市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-05-02 | 授权 | 授权 |
| 2024-03-15 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/092申请日:20231205 |
| 2024-02-27 | 公开 | 公开 |