学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审

一种氮极性GaN基HEMT-LED集成芯片及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510671206.5
申请日：
2025-05-23
公开(公告)号：
CN120547999A
公开(公告)日：
2025-08-26
发明(设计)人：
张源涛 李逸 邓高强 马皓天 高浩哲
申请人：
吉林大学
申请人地址：
130012 吉林省长春市长春高新技术产业开发区前进大街2699号
IPC主分类号：
H10H29/10
IPC分类号：
H10D30/47 H10D62/10 H10H29/01 H10H20/812 H10H20/817
代理机构：
长春吉大专利代理有限责任公司 22201
代理人：
王立文
法律状态：
公开
国省代码：
吉林省 长春市
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-08-26 公开 公开
2025-09-12 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10H 29/10申请日:20250523
共 50 条
[1]
一种倒装GaN基HEMT-LED集成器件及其制备方法 [P]. 
徐明升 ;
王晓敏 ;
葛磊 .
中国专利 :CN110289281B ,2024-07-23
[2]
一种倒装GaN基HEMT-LED集成器件及其制备方法 [P]. 
徐明升 ;
王晓敏 ;
葛磊 .
中国专利 :CN110289281A ,2019-09-27
[3]
一种倒装GaN基HEMT-LED集成器件 [P]. 
徐明升 ;
王晓敏 ;
葛磊 .
中国专利 :CN210692539U ,2020-06-05
[4]
一种金属极性与氮极性结合的GaN基CMOS器件及其制备方法 [P]. 
张源涛 ;
张立东 ;
邓高强 ;
左长财 .
中国专利 :CN117613052A ,2024-02-27
[5]
一种金属极性与氮极性结合的GaN基CMOS器件及其制备方法 [P]. 
张源涛 ;
张立东 ;
邓高强 ;
左长财 .
中国专利 :CN117613052B ,2025-05-02
[6]
一种石墨烯上氮极性GaN基长波长LED芯片及其制备方法 [P]. 
邓高强 ;
张源涛 ;
于佳琪 ;
赵敬凯 ;
王昱森 .
中国专利 :CN118919618B ,2025-06-06
[7]
一种石墨烯上氮极性GaN基长波长LED芯片及其制备方法 [P]. 
邓高强 ;
张源涛 ;
于佳琪 ;
赵敬凯 ;
王昱森 .
中国专利 :CN118919618A ,2024-11-08
[8]
一种基于GaN的HEMT单元芯片及其制备方法和集成芯片 [P]. 
杨玉美 .
中国专利 :CN118352355A ,2024-07-16
[9]
一种GaN基薄膜LED芯片及其制备方法 [P]. 
封波 .
中国专利 :CN105762242A ,2016-07-13
[10]
一种GaN基HEMT器件及其制备方法 [P]. 
刘洪刚 ;
常虎东 ;
孙兵 ;
袁志鹏 ;
肖冬萍 .
中国专利 :CN108110054B ,2018-06-01
12345