一种倒装GaN基HEMT-LED集成器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201921193110.9

申请日：

2019-07-26

公开(公告)号：

CN210692539U

公开(公告)日：

2020-06-05

发明(设计)人：

徐明升王晓敏葛磊

申请人：

申请人地址：

250199 山东省济南市历城区山大南路27号

IPC主分类号：

H01L2715

IPC分类号：

H01L3346 H01L3364 H01L2182

代理机构：

济南金迪知识产权代理有限公司 37219

代理人：

张宏松

法律状态：

授权

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-05	授权	授权

共 50 条

[1]

一种倒装GaN基HEMT-LED集成器件及其制备方法 [P].

徐明升 ;

王晓敏 ;

葛磊 .

中国专利 :CN110289281B ,2024-07-23

[2]

一种倒装GaN基HEMT-LED集成器件及其制备方法 [P].

徐明升 ;

王晓敏 ;

葛磊 .

中国专利 :CN110289281A ,2019-09-27

[3]

一种垂直式HEMT-LED集成器件 [P].

张贺秋 ;

王子坤 ;

邓群雄 ;

韩奎 ;

郭文平 ;

梁宏伟 ;

夏晓川 ;

张克雄 .

中国专利 :CN222692258U ,2025-03-28

[4]

HEMT-LED集成器件及其制备方法 [P].

赵东升 ;

杨婷 ;

姜竹林 .

中国专利 :CN120112028A ,2025-06-06

[5]

一种垂直式HEMT-LED集成器件的制备方法 [P].

张贺秋 ;

王子坤 ;

邓群雄 ;

韩奎 ;

郭文平 ;

梁红伟 ;

夏晓川 ;

张克雄 .

中国专利 :CN118588820A ,2024-09-03

[6]

一种GaN基倒装HEMT器件结构 [P].

徐明升 ;

周泉斌 ;

王洪 .

中国专利 :CN204946885U ,2016-01-06

[7]

一种氮极性GaN基HEMT-LED集成芯片及其制备方法 [P].

张源涛 ;

李逸 ;

邓高强 ;

马皓天 ;

高浩哲 .

中国专利 :CN120547999A ,2025-08-26

[8]

GaN HEMT集成器件及其制备方法 [P].

许明伟 ;

李海滨 ;

樊晓兵 .

中国专利 :CN112768409A ,2021-05-07

[9]

一种GaN基倒装HEMT器件结构及其制备方法 [P].

徐明升 ;

周泉斌 ;

王洪 .

中国专利 :CN105070701B ,2015-11-18

[10]

一种GaN基激光器和AlGaN/GaN HEMT集成器件制备方法 [P].

田朋飞 ;

闫春辉 ;

林润泽 ;

方志来 ;

张国旗 .

中国专利 :CN110600470A ,2019-12-20

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