一种GaN基CMOS器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310263055.0

申请日：

2023-03-17

公开(公告)号：

CN116153933B

公开(公告)日：

2025-11-04

发明(设计)人：

敖金平朱霞左敏王霄李杨陈治伟白利华

申请人：

江南大学

申请人地址：

214000 江苏省无锡市梁溪区通沙路898号南楼七层

IPC主分类号：

H10D84/85

IPC分类号：

H10D84/05

代理机构：

南京禹为知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32272

代理人：

康伟

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-04	授权	授权

共 50 条

[1]

一种GaN基CMOS器件及其制备方法 [P].

敖金平 ;

蒲涛飞 ;

李柳岸 ;

李小波 .

中国专利 :CN111627908A ,2020-09-04

[2]

一种GaN基CMOS器件及其制备方法 [P].

卢星 ;

裴艳丽 ;

成声亮 ;

陈梓敏 ;

王钢 .

中国专利 :CN115497938B ,2025-10-17

[3]

一种GaN基CMOS器件及其制备方法 [P].

卢星 ;

裴艳丽 ;

成声亮 ;

陈梓敏 ;

王钢 .

中国专利 :CN115497938A ,2022-12-20

[4]

一种N面GaN基CMOS器件及其制备方法 [P].

武玫 ;

牛雪锐 ;

侯斌 ;

杨凌 ;

张濛 ;

朱青 ;

王冲 ;

马晓华 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114446892A ,2022-05-06

[5]

一种N面GaN基CMOS器件及其制备方法 [P].

武玫 ;

牛雪锐 ;

侯斌 ;

杨凌 ;

张濛 ;

朱青 ;

王冲 ;

马晓华 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114446892B ,2024-02-09

[6]

SiGe材料CMOS器件及其制备方法 [P].

左瑜 .

中国专利 :CN107946181A ,2018-04-20

[7]

一种金属极性与氮极性结合的GaN基CMOS器件及其制备方法 [P].

张源涛 ;

张立东 ;

邓高强 ;

左长财 .

中国专利 :CN117613052A ,2024-02-27

[8]

一种金属极性与氮极性结合的GaN基CMOS器件及其制备方法 [P].

张源涛 ;

张立东 ;

邓高强 ;

左长财 .

中国专利 :CN117613052B ,2025-05-02

[9]

一种CMOS器件及其制备方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN104701319A ,2015-06-10

[10]

一种CMOS器件及其制备方法 [P].

刘聪 ;

孟昭生 ;

董信国 .

中国专利 :CN120152371A ,2025-06-13

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