一种CMOS器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510330823.9

申请日：

2025-03-19

公开(公告)号：

CN120152371A

公开(公告)日：

2025-06-13

发明(设计)人：

刘聪孟昭生董信国

申请人：

上海积塔半导体有限公司

申请人地址：

201306 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区云水路600号

IPC主分类号：

H10D84/01

IPC分类号：

H10D84/03 H10D84/85

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

余明伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

上海市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-01	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/01申请日:20250319
2025-06-13	公开	公开

共 50 条

[1]

CMOS器件及其制备方法 [P].

毛淑娟 ;

罗军 ;

许静 .

中国专利 :CN109671621B ,2019-04-23

[2]

CMOS器件及其制造方法 [P].

肖德元 ;

季明华 ;

吴汉明 .

中国专利 :CN101958328A ,2011-01-26

[3]

一种GaN基CMOS器件及其制备方法 [P].

敖金平 ;

蒲涛飞 ;

李柳岸 ;

李小波 .

中国专利 :CN111627908A ,2020-09-04

[4]

CMOS器件及其形成方法 [P].

廖昱程 ;

蒋懿 ;

赵文礼 ;

冯道欢 .

中国专利 :CN119364851A ,2025-01-24

[5]

CMOS器件及其形成方法 [P].

廖昱程 ;

蒋懿 ;

赵文礼 ;

冯道欢 .

中国专利 :CN119364851B ,2025-09-19

[6]

单极CMOS器件及其制造方法 [P].

肖德元 ;

季明华 ;

吴汉明 .

中国专利 :CN101958327B ,2011-01-26

[7]

CMOS器件及其形成方法 [P].

胥传金 .

中国专利 :CN102646637A ,2012-08-22

[8]

CMOS器件及其制作方法 [P].

孙武 ;

张海洋 ;

鲍宇 ;

李若园 .

中国专利 :CN102479755B ,2012-05-30

[9]

一种CMOS器件的制备方法及CMOS器件 [P].

刘云洁 ;

庄立强 ;

王永功 ;

任杰 ;

张翔 ;

马美玲 ;

赵海红 ;

陈鑫 ;

何成功 .

中国专利 :CN118800730B ,2025-01-28

[10]

一种CMOS器件的制备方法及CMOS器件 [P].

刘云洁 ;

庄立强 ;

王永功 ;

任杰 ;

张翔 ;

马美玲 ;

赵海红 ;

陈鑫 ;

何成功 .

中国专利 :CN118800730A ,2024-10-18

← 1 2 3 4 5 →