CMOS器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910054961.X

申请日：

2009-07-16

公开(公告)号：

CN101958328A

公开(公告)日：

2011-01-26

发明(设计)人：

肖德元季明华吴汉明

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2712

IPC分类号：

H01L2904 H01L2906 H01L2184

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李丽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-01-26	公开	公开
2011-03-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101058488314 IPC(主分类):H01L 27/12 专利申请号:200910054961X 申请日:20090716
2021-07-06	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/12 申请日:20090716 授权公告日:20120523 终止日期:20200716
2012-05-23	授权	授权

共 50 条

[1]

单极CMOS器件及其制造方法 [P].

肖德元 ;

季明华 ;

吴汉明 .

中国专利 :CN101958327B ,2011-01-26

[2]

双栅CMOS半导体器件及其制造方法 [P].

全幸林 .

中国专利 :CN100547793C ,2008-03-05

[3]

CMOS半导体器件及其制造方法 [P].

曹永峰 .

中国专利 :CN102437158B ,2012-05-02

[4]

CMOS器件及其制备方法 [P].

毛淑娟 ;

罗军 ;

许静 .

中国专利 :CN109671621B ,2019-04-23

[5]

共栅极立体式CMOS器件、OLED器件及其制造方法 [P].

卜维亮 .

中国专利 :CN104752426A ,2015-07-01

[6]

CMOS器件及其形成方法 [P].

廖昱程 ;

蒋懿 ;

赵文礼 ;

冯道欢 .

中国专利 :CN119364851A ,2025-01-24

[7]

CMOS器件及其形成方法 [P].

廖昱程 ;

蒋懿 ;

赵文礼 ;

冯道欢 .

中国专利 :CN119364851B ,2025-09-19

[8]

CMOS器件及其形成方法 [P].

胥传金 .

中国专利 :CN102646637A ,2012-08-22

[9]

CMOS器件及其制作方法 [P].

孙武 ;

张海洋 ;

鲍宇 ;

李若园 .

中国专利 :CN102479755B ,2012-05-30

[10]

具有不同侧壁层宽度的CMOS器件及其制造方法 [P].

马擎天 ;

刘乒 ;

杜珊珊 .

中国专利 :CN101393893B ,2009-03-25

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