具有不同侧壁层宽度的CMOS器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710046212.3

申请日：

2007-09-17

公开(公告)号：

CN101393893B

公开(公告)日：

2009-03-25

发明(设计)人：

马擎天刘乒杜珊珊

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L27092

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

逯长明

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-03-25	公开	公开
2009-05-20	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-07-06	授权	授权

共 50 条

[1]

具有不同侧壁间隔壁宽度的CMOS器件制造方法 [P].

何德飚 ;

蔡孟峰 .

中国专利 :CN101140907A ,2008-03-12

[2]

CMOS器件及其制造方法 [P].

肖德元 ;

季明华 ;

吴汉明 .

中国专利 :CN101958328A ,2011-01-26

[3]

具有混合沟道取向的CMOS器件及其制造方法 [P].

陈向东 ;

T·W·戴尔 ;

J·J·图米 ;

杨海宁 .

中国专利 :CN101379609A ,2009-03-04

[4]

单极CMOS器件及其制造方法 [P].

肖德元 ;

季明华 ;

吴汉明 .

中国专利 :CN101958327B ,2011-01-26

[5]

CMOS器件及其形成方法 [P].

廖昱程 ;

蒋懿 ;

赵文礼 ;

冯道欢 .

中国专利 :CN119364851A ,2025-01-24

[6]

CMOS器件及其形成方法 [P].

廖昱程 ;

蒋懿 ;

赵文礼 ;

冯道欢 .

中国专利 :CN119364851B ,2025-09-19

[7]

制造CMOS器件栅电极的方法 [P].

金铉修 ;

李忠勋 .

中国专利 :CN1130803A ,1996-09-11

[8]

形成CMOS器件的方法 [P].

刘佳磊 ;

何永根 .

中国专利 :CN103545256A ,2014-01-29

[9]

双栅CMOS半导体器件及其制造方法 [P].

全幸林 .

中国专利 :CN100547793C ,2008-03-05

[10]

具有双金属栅的CMOS器件及其制造方法 [P].

殷华湘 ;

徐秋霞 ;

陈大鹏 .

中国专利 :CN103077947A ,2013-05-01

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