具有双金属栅的CMOS器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110329080.1

申请日：

2011-10-26

公开(公告)号：

CN103077947A

公开(公告)日：

2013-05-01

发明(设计)人：

殷华湘徐秋霞陈大鹏

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L2949 H01L218238

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

刘春元;王忠忠

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-05-01	公开	公开
2013-06-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101465132222 IPC(主分类):H01L 27/092 专利申请号:2011103290801 申请日:20111026

共 50 条

[1]

形成CMOS器件的双金属栅结构的方法 [P].

G·D·维尔克 ;

S·R·萨默费尔特 .

中国专利 :CN1266277A ,2000-09-13

[2]

双金属栅极CMOS器件及其制造方法 [P].

殷华湘 ;

付作振 ;

徐秋霞 ;

陈大鹏 .

中国专利 :CN103378008B ,2013-10-30

[3]

高K金属栅CMOS器件及其形成方法 [P].

库尔班·阿吾提 .

中国专利 :CN105448831A ,2016-03-30

[4]

制备双金属栅器件的方法 [P].

戴维·吉尔默 ;

斯瑞卡恩斯·B.·萨曼维达姆 ;

飞利浦·J.·托宾 .

中国专利 :CN100495685C ,2007-08-29

[5]

具有金属栅极的CMOS器件及其形成方法 [P].

钟升镇 ;

朱鸣 ;

庄学理 ;

杨宝如 ;

吴伟成 ;

梁家铭 ;

吴欣桦 .

中国专利 :CN103178012B ,2013-06-26

[6]

制造CMOS器件栅电极的方法 [P].

金铉修 ;

李忠勋 .

中国专利 :CN1130803A ,1996-09-11

[7]

具有金属栅的半导体器件及其制造方法 [P].

池连赫 ;

金泰润 ;

李承美 ;

朴祐莹 .

中国专利 :CN102347362B ,2012-02-08

[8]

金属栅/高K栅介质制备工艺及双金属栅CMOS的制备方法 [P].

康晋锋 ;

刘晓彦 ;

张兴 ;

韩汝琦 ;

王阳元 .

中国专利 :CN1832113A ,2006-09-13

[9]

具有双金属控制栅的半浮栅晶体管的制造方法 [P].

杨志刚 ;

冷江华 ;

刘珩 ;

关天鹏 .

中国专利 :CN113643981A ,2021-11-12

[10]

具有双金属控制栅的半浮栅晶体管的制造方法 [P].

杨志刚 ;

冷江华 ;

刘珩 ;

关天鹏 .

中国专利 :CN113643981B ,2024-06-11

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