具有双金属控制栅的半浮栅晶体管的制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN202110862323.1
申请日
2021-07-29
公开(公告)号
CN113643981A
公开(公告)日
2021-11-12
发明(设计)人
杨志刚 冷江华 刘珩 关天鹏
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
IPC主分类号
H01L21336
IPC分类号
H01L29788
代理机构
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
郭四华
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
具有双金属控制栅的半浮栅晶体管的制造方法 [P]. 
杨志刚 ;
冷江华 ;
刘珩 ;
关天鹏 .
中国专利 :CN113643981B ,2024-06-11
[2]
金属栅晶体管的制造方法 [P]. 
张鹏 .
中国专利 :CN115116836A ,2022-09-27
[3]
半浮栅晶体管的制作方法 [P]. 
龚风丛 ;
曹开玮 .
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[4]
金属栅MOS晶体管的制造方法 [P]. 
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[5]
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中国专利 :CN119486170A ,2025-02-18
[6]
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何志斌 ;
景旭斌 .
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[7]
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[8]
金属栅MOS晶体管 [P]. 
翁文寅 .
中国专利 :CN110444593A ,2019-11-12
[9]
改进的双掺杂浮栅晶体管 [P]. 
吕冬琴 ;
叶好华 .
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[10]
金属栅晶体管的制造方法 [P]. 
孙佳欣 ;
许家彰 .
中国专利 :CN119486248A ,2025-02-18