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具有双金属控制栅的半浮栅晶体管的制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202110862323.1
申请日
:
2021-07-29
公开(公告)号
:
CN113643981A
公开(公告)日
:
2021-11-12
发明(设计)人
:
杨志刚
冷江华
刘珩
关天鹏
申请人
:
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
IPC主分类号
:
H01L21336
IPC分类号
:
H01L29788
代理机构
:
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
:
郭四华
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-11-30
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20210729
2021-11-12
公开
公开
共 50 条
[1]
具有双金属控制栅的半浮栅晶体管的制造方法
[P].
杨志刚
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华力集成电路制造有限公司
上海华力集成电路制造有限公司
杨志刚
;
冷江华
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华力集成电路制造有限公司
上海华力集成电路制造有限公司
冷江华
;
刘珩
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华力集成电路制造有限公司
上海华力集成电路制造有限公司
刘珩
;
关天鹏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华力集成电路制造有限公司
上海华力集成电路制造有限公司
关天鹏
.
中国专利
:CN113643981B
,2024-06-11
[2]
金属栅晶体管的制造方法
[P].
张鹏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
张鹏
.
中国专利
:CN115116836A
,2022-09-27
[3]
半浮栅晶体管的制作方法
[P].
龚风丛
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
龚风丛
;
曹开玮
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
曹开玮
.
中国专利
:CN113471294B
,2021-10-01
[4]
金属栅MOS晶体管的制造方法
[P].
翁文寅
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
翁文寅
.
中国专利
:CN113517194A
,2021-10-19
[5]
半浮栅晶体管栅极的制造方法
[P].
潘骏杰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华力集成电路制造有限公司
上海华力集成电路制造有限公司
潘骏杰
.
中国专利
:CN119486170A
,2025-02-18
[6]
半浮栅晶体管工艺方法
[P].
曹坚
论文数:
0
引用数:
0
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0
曹坚
;
何志斌
论文数:
0
引用数:
0
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0
何志斌
;
景旭斌
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
景旭斌
.
中国专利
:CN106206737A
,2016-12-07
[7]
浮栅晶体管的制造方法
[P].
何其旸
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
何其旸
.
中国专利
:CN103545203A
,2014-01-29
[8]
金属栅MOS晶体管
[P].
翁文寅
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
翁文寅
.
中国专利
:CN110444593A
,2019-11-12
[9]
改进的双掺杂浮栅晶体管
[P].
吕冬琴
论文数:
0
引用数:
0
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0
吕冬琴
;
叶好华
论文数:
0
引用数:
0
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0
叶好华
.
中国专利
:CN105449002A
,2016-03-30
[10]
金属栅晶体管的制造方法
[P].
孙佳欣
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海华力集成电路制造有限公司
上海华力集成电路制造有限公司
孙佳欣
;
许家彰
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海华力集成电路制造有限公司
上海华力集成电路制造有限公司
许家彰
.
中国专利
:CN119486248A
,2025-02-18
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