半浮栅晶体管栅极的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411464820.6

申请日：

2024-10-18

公开(公告)号：

CN119486170A

公开(公告)日：

2025-02-18

发明(设计)人：

潘骏杰

申请人：

上海华力集成电路制造有限公司

申请人地址：

201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/68 H10D64/27

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

刘昌荣

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-07	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20241018
2025-02-18	公开	公开

共 50 条

[1]

浮栅晶体管的制造方法 [P].

何其旸 .

中国专利 :CN103545203A ,2014-01-29

[2]

半浮栅晶体管结构 [P].

彭坤 .

中国专利 :CN105097953B ,2015-11-25

[3]

半浮栅晶体管的制作方法 [P].

龚风丛 ;

曹开玮 .

中国专利 :CN113471294B ,2021-10-01

[4]

具有双金属控制栅的半浮栅晶体管的制造方法 [P].

杨志刚 ;

冷江华 ;

刘珩 ;

关天鹏 .

中国专利 :CN113643981A ,2021-11-12

[5]

具有双金属控制栅的半浮栅晶体管的制造方法 [P].

杨志刚 ;

冷江华 ;

刘珩 ;

关天鹏 .

中国专利 :CN113643981B ,2024-06-11

[6]

一种半浮栅晶体管的制备方法、半浮栅晶体管及存储器件 [P].

龚风丛 ;

曹开玮 .

中国专利 :CN115394653B ,2024-11-19

[7]

一种半浮栅晶体管的制备方法、半浮栅晶体管及存储器件 [P].

龚风丛 ;

曹开玮 .

中国专利 :CN115394653A ,2022-11-25

[8]

浮栅MOS晶体管的制造方法 [P].

秦伟 ;

高慧慧 ;

杨渝书 ;

黄海辉 .

中国专利 :CN103441075A ,2013-12-11

[9]

半浮栅晶体管工艺方法 [P].

曹坚 ;

何志斌 ;

景旭斌 .

中国专利 :CN106206737A ,2016-12-07

[10]

针对半浮栅晶体管浮栅工艺的方法 [P].

曹坚 ;

何志斌 ;

景旭斌 .

中国专利 :CN106229265A ,2016-12-14

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