浮栅晶体管的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210238206.9

申请日：

2012-07-10

公开(公告)号：

CN103545203A

公开(公告)日：

2014-01-29

发明(设计)人：

何其旸

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-01-29	公开	公开
2014-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101576172074 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2012102382069 申请日:20120710
2016-01-06	授权	授权

共 50 条

[1]

浮栅晶体管的制作方法 [P].

何其旸 .

中国专利 :CN103545205B ,2014-01-29

[2]

浮栅MOS晶体管的制造方法 [P].

秦伟 ;

高慧慧 ;

杨渝书 ;

黄海辉 .

中国专利 :CN103441075A ,2013-12-11

[3]

半浮栅晶体管结构 [P].

彭坤 .

中国专利 :CN105097953B ,2015-11-25

[4]

半浮栅晶体管栅极的制造方法 [P].

潘骏杰 .

中国专利 :CN119486170A ,2025-02-18

[5]

针对半浮栅晶体管浮栅工艺的方法 [P].

曹坚 ;

何志斌 ;

景旭斌 .

中国专利 :CN106229265A ,2016-12-14

[6]

半浮栅晶体管的制作方法 [P].

龚风丛 ;

曹开玮 .

中国专利 :CN113471294B ,2021-10-01

[7]

改进的双掺杂浮栅晶体管 [P].

吕冬琴 ;

叶好华 .

中国专利 :CN105449002A ,2016-03-30

[8]

半浮栅晶体管结构及其制作方法 [P].

彭坤 .

中国专利 :CN105097919B ,2015-11-25

[9]

纳米线浮栅晶体管 [P].

S·邦萨伦提普 ;

G·M·科昂 ;

A·马宗达 ;

J·W·斯雷特 .

中国专利 :CN103199115A ,2013-07-10

[10]

具有双金属控制栅的半浮栅晶体管的制造方法 [P].

杨志刚 ;

冷江华 ;

刘珩 ;

关天鹏 .

中国专利 :CN113643981A ,2021-11-12

← 1 2 3 4 5 →