改进的双掺杂浮栅晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410405898.0

申请日：

2014-08-18

公开(公告)号：

CN105449002A

公开(公告)日：

2016-03-30

发明(设计)人：

吕冬琴叶好华

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L29788

IPC分类号：

H01L2949 H01L21336 H01L2128

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

张欣

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-04-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101657716806 IPC(主分类):H01L 29/788 专利申请号:2014104058980 申请日:20140818
2018-10-12	授权	授权
2016-03-30	公开	公开

共 50 条

[1]

半浮栅晶体管的制作方法 [P].

龚风丛 ;

曹开玮 .

中国专利 :CN113471294B ,2021-10-01

[2]

浮栅晶体管的制造方法 [P].

何其旸 .

中国专利 :CN103545203A ,2014-01-29

[3]

半浮栅晶体管结构 [P].

彭坤 .

中国专利 :CN105097953B ,2015-11-25

[4]

针对半浮栅晶体管浮栅工艺的方法 [P].

曹坚 ;

何志斌 ;

景旭斌 .

中国专利 :CN106229265A ,2016-12-14

[5]

具有双金属控制栅的半浮栅晶体管的制造方法 [P].

杨志刚 ;

冷江华 ;

刘珩 ;

关天鹏 .

中国专利 :CN113643981A ,2021-11-12

[6]

具有双金属控制栅的半浮栅晶体管的制造方法 [P].

杨志刚 ;

冷江华 ;

刘珩 ;

关天鹏 .

中国专利 :CN113643981B ,2024-06-11

[7]

浮栅的制作方法和浮栅晶体管的制作方法 [P].

邓咏桢 .

中国专利 :CN103839795A ,2014-06-04

[8]

浮栅MOS晶体管的制造方法 [P].

秦伟 ;

高慧慧 ;

杨渝书 ;

黄海辉 .

中国专利 :CN103441075A ,2013-12-11

[9]

浮栅晶体管的制作方法 [P].

何其旸 .

中国专利 :CN103545205B ,2014-01-29

[10]

一种三栅结构半浮栅晶体管的制作方法 [P].

杨志刚 ;

刘珩 ;

孟晓莹 ;

冷江华 ;

关天鹏 .

中国专利 :CN113394103B ,2024-08-06

← 1 2 3 4 5 →