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一种半浮栅晶体管的制备方法、半浮栅晶体管及存储器件
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202211139739.1
申请日：
2022-09-19
公开(公告)号：
CN115394653B
公开(公告)日：
2024-11-19
发明(设计)人：
龚风丛
曹开玮
申请人：
武汉新芯集成电路股份有限公司
申请人地址：
430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
IPC主分类号：
H01L21/336
IPC分类号：
H01L29/788
H10B41/30
代理机构：
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280
代理人：
刘芬芬
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-11-19 | 授权 | 授权 |
| 2024-07-05 | 著录事项变更 | 著录事项变更IPC(主分类):H01L 21/336变更事项:申请人变更前:武汉新芯集成电路制造有限公司变更后:武汉新芯集成电路股份有限公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号变更后:430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号 |