金属栅MOS晶体管

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201910808495.3
申请日
2019-08-29
公开(公告)号
CN110444593A
公开(公告)日
2019-11-12
发明(设计)人
翁文寅
申请人
申请人地址
201315 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室
IPC主分类号
H01L2949
IPC分类号
H01L2978
代理机构
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
郭四华
法律状态
公开
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
金属栅MOS晶体管的制造方法 [P]. 
翁文寅 .
中国专利 :CN113517194A ,2021-10-19
[2]
高介电常数金属栅MOS晶体管 [P]. 
魏程昶 ;
苏炳熏 ;
何德彪 ;
吴方锐 .
中国专利 :CN114823893A ,2022-07-29
[3]
MOS晶体管的形成方法 [P]. 
赵猛 ;
王津洲 .
中国专利 :CN101459081A ,2009-06-17
[4]
金属栅晶体管的制造方法 [P]. 
张鹏 .
中国专利 :CN115116836A ,2022-09-27
[5]
高K金属栅MOS晶体管的制造方法 [P]. 
张盛东 ;
韩汝琦 ;
韩德栋 .
中国专利 :CN102110614A ,2011-06-29
[6]
高介电常数金属栅MOS晶体管的制造方法 [P]. 
李勇 .
中国专利 :CN112420502A ,2021-02-26
[7]
金属栅极和MOS晶体管的形成方法 [P]. 
王新鹏 .
中国专利 :CN102856178A ,2013-01-02
[8]
MOS晶体管的制作方法 [P]. 
赵猛 .
中国专利 :CN101930923A ,2010-12-29
[9]
高介电常数金属栅MOS晶体管及其制造方法 [P]. 
李勇 .
中国专利 :CN115000170A ,2022-09-02
[10]
栅介质层及MOS晶体管的形成方法 [P]. 
何永根 ;
禹国宾 ;
吴兵 .
中国专利 :CN103165431A ,2013-06-19