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金属栅MOS晶体管
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201910808495.3
申请日
:
2019-08-29
公开(公告)号
:
CN110444593A
公开(公告)日
:
2019-11-12
发明(设计)人
:
翁文寅
申请人
:
申请人地址
:
201315 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室
IPC主分类号
:
H01L2949
IPC分类号
:
H01L2978
代理机构
:
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
:
郭四华
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-11-12
公开
公开
2019-12-06
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/49 申请日:20190829
共 50 条
[1]
金属栅MOS晶体管的制造方法
[P].
翁文寅
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
翁文寅
.
中国专利
:CN113517194A
,2021-10-19
[2]
高介电常数金属栅MOS晶体管
[P].
魏程昶
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
魏程昶
;
苏炳熏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
苏炳熏
;
何德彪
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
何德彪
;
吴方锐
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
吴方锐
.
中国专利
:CN114823893A
,2022-07-29
[3]
MOS晶体管的形成方法
[P].
赵猛
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
赵猛
;
王津洲
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王津洲
.
中国专利
:CN101459081A
,2009-06-17
[4]
金属栅晶体管的制造方法
[P].
张鹏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
张鹏
.
中国专利
:CN115116836A
,2022-09-27
[5]
高K金属栅MOS晶体管的制造方法
[P].
张盛东
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
张盛东
;
韩汝琦
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
韩汝琦
;
韩德栋
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
韩德栋
.
中国专利
:CN102110614A
,2011-06-29
[6]
高介电常数金属栅MOS晶体管的制造方法
[P].
李勇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李勇
.
中国专利
:CN112420502A
,2021-02-26
[7]
金属栅极和MOS晶体管的形成方法
[P].
王新鹏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王新鹏
.
中国专利
:CN102856178A
,2013-01-02
[8]
MOS晶体管的制作方法
[P].
赵猛
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
赵猛
.
中国专利
:CN101930923A
,2010-12-29
[9]
高介电常数金属栅MOS晶体管及其制造方法
[P].
李勇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李勇
.
中国专利
:CN115000170A
,2022-09-02
[10]
栅介质层及MOS晶体管的形成方法
[P].
何永根
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
何永根
;
禹国宾
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
禹国宾
;
吴兵
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
吴兵
.
中国专利
:CN103165431A
,2013-06-19
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