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高介电常数金属栅MOS晶体管的制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202011294203.8
申请日：
2020-11-18
公开(公告)号：
CN112420502A
公开(公告)日：
2021-02-26
发明(设计)人：
李勇
申请人：
申请人地址：
201315 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室
IPC主分类号：
H01L2128
IPC分类号：
H01L21336
代理机构：
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人：
郭四华
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-02-26 | 公开 | 公开 |
| 2021-03-16 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20201118 |