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高介电常数金属栅MOS晶体管及其制造方法
被引：0
申请号：
CN202110226519.1
申请日：
2021-03-01
公开(公告)号：
CN115000170A
公开(公告)日：
2022-09-02
发明(设计)人：
李勇
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L2906
H01L29423
H01L21336
代理机构：
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人：
郭四华
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-09-02 | 公开 | 公开 |