高K金属栅MOS晶体管的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110020726.8

申请日：

2011-01-18

公开(公告)号：

CN102110614A

公开(公告)日：

2011-06-29

发明(设计)人：

张盛东韩汝琦韩德栋

申请人：

申请人地址：

518055 广东省深圳市南山区西丽深圳大学城北大校区

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21265 H01L2910

代理机构：

深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281

代理人：

郭燕

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-08-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101096109431 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2011100207268 申请日:20110118
2014-11-05	授权	授权
2011-06-29	公开	公开

共 50 条

[1]

金属栅MOS晶体管 [P].

翁文寅 .

中国专利 :CN110444593A ,2019-11-12

[2]

金属栅MOS晶体管的制造方法 [P].

翁文寅 .

中国专利 :CN113517194A ,2021-10-19

[3]

高介电常数金属栅MOS晶体管的制造方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN112420502A ,2021-02-26

[4]

高介电常数金属栅MOS晶体管 [P].

魏程昶 ;

苏炳熏 ;

何德彪 ;

吴方锐 .

中国专利 :CN114823893A ,2022-07-29

[5]

MOS晶体管的制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN102903635A ,2013-01-30

[6]

MOS晶体管的制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101752253B ,2010-06-23

[7]

MOS晶体管的制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN102903636A ,2013-01-30

[8]

高介电常数金属栅MOS晶体管及其制造方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN113644050A ,2021-11-12

[9]

高介电常数金属栅MOS晶体管及其制造方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN115000170A ,2022-09-02

[10]

高介电常数金属栅MOS晶体管及其制造方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN113644050B ,2024-06-11

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