栅介质层及MOS晶体管的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110428309.7

申请日：

2011-12-19

公开(公告)号：

CN103165431A

公开(公告)日：

2013-06-19

发明(设计)人：

何永根禹国宾吴兵

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-07-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101494128365 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2011104283097 申请日:20111219
2016-08-31	授权	授权
2013-06-19	公开	公开

共 50 条

[1]

栅介质层的形成方法和MOS晶体管的形成方法 [P].

刘海龙 .

中国专利 :CN104900502A ,2015-09-09

[2]

MOS晶体管的形成方法 [P].

赵猛 ;

王津洲 .

中国专利 :CN101459081A ,2009-06-17

[3]

MOS晶体管的形成方法 [P].

何永根 ;

刘焕新 .

中国专利 :CN103928331A ,2014-07-16

[4]

MOS晶体管的形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN104078360B ,2014-10-01

[5]

MOS晶体管的形成方法 [P].

谢欣云 .

中国专利 :CN104078358A ,2014-10-01

[6]

MOS晶体管的形成方法 [P].

李凤莲 ;

倪景华 .

中国专利 :CN104347418A ,2015-02-11

[7]

氧化层、HKMG结构中界面层、MOS晶体管形成方法及MOS晶体管 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103515207A ,2014-01-15

[8]

金属栅MOS晶体管 [P].

翁文寅 .

中国专利 :CN110444593A ,2019-11-12

[9]

伪栅的去除方法和MOS晶体管的形成方法 [P].

张海洋 ;

李凤莲 .

中国专利 :CN104733303A ,2015-06-24

[10]

MOS晶体管的形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN102420136B ,2012-04-18

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