具有混合沟道取向的CMOS器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780004920.9

申请日：

2007-02-07

公开(公告)号：

CN101379609A

公开(公告)日：

2009-03-04

发明(设计)人：

陈向东 T·W·戴尔 J·J·图米杨海宁

申请人：

申请人地址：

美国纽约

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

于静;杨晓光

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-03-04	公开	公开
2009-04-29	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-03-14	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101299924160 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2007800049209 公开日:20090304

共 50 条

[1]

具有应力沟道区域的改善的CMOS器件及其制造方法 [P].

陈向东 ;

T·迪勒 ;

K·塞特尔迈尔 ;

杨海宁 .

中国专利 :CN101410968B ,2009-04-15

[2]

适于减小闭锁的CMOS器件及其制造方法 [P].

C·W·科布格尔三世 ;

古川俊治 ;

J·A·曼德尔曼 .

中国专利 :CN101009283A ,2007-08-01

[3]

具有垂直沟道的半导体器件及其制造方法 [P].

金龙成 ;

郑泰荣 ;

申树浩 .

中国专利 :CN1897255B ,2007-01-17

[4]

具有垂直沟道的半导体器件及其制造方法 [P].

尹在万 ;

金奉秀 ;

徐亨源 ;

李康润 .

中国专利 :CN101017825A ,2007-08-15

[5]

具有不同侧壁层宽度的CMOS器件及其制造方法 [P].

马擎天 ;

刘乒 ;

杜珊珊 .

中国专利 :CN101393893B ,2009-03-25

[6]

CMOS器件及其制造方法 [P].

肖德元 ;

季明华 ;

吴汉明 .

中国专利 :CN101958328A ,2011-01-26

[7]

具有圆形形状的纳米线晶体管沟道的半导体器件及其制造方法 [P].

李成泳 ;

申东石 .

中国专利 :CN1855390A ,2006-11-01

[8]

具有应变沟道CMOS晶体管的结构及其制造方法 [P].

奥马尔·多库马西 ;

陈华杰 ;

杜雷塞蒂·齐达姆巴拉奥 ;

S·杨海宁 .

中国专利 :CN1985375A ,2007-06-20

[9]

具有凹陷沟道结构的半导体器件及其制造方法 [P].

崔康植 .

中国专利 :CN101211912B ,2008-07-02

[10]

具有鳍结构沟道的半导体器件及其制造方法 [P].

李振烈 .

中国专利 :CN101577249A ,2009-11-11

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