具有应变沟道CMOS晶体管的结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480025955.7

申请日：

2004-08-30

公开(公告)号：

CN1985375A

公开(公告)日：

2007-06-20

发明(设计)人：

奥马尔·多库马西陈华杰杜雷塞蒂·齐达姆巴拉奥 S·杨海宁

申请人：

申请人地址：

美国纽约

IPC主分类号：

H01L2973

IPC分类号：

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

张浩

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-01	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/73 登记生效日:20171114 变更事项:专利权人变更前权利人:格芯美国第二有限责任公司变更后权利人:格芯公司变更事项:地址变更前权利人:美国纽约变更后权利人:开曼群岛大开曼岛
2007-08-15	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-01-19	授权	授权
2007-06-20	公开	公开
2017-12-01	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/73 登记生效日:20171114 变更事项:专利权人变更前权利人:国际商业机器公司变更后权利人:格芯美国第二有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:美国纽约变更后权利人:美国纽约

共 50 条

[1]

应变半导体CMOS晶体管的制造结构和方法 [P].

陈华杰 ;

杜里赛蒂·奇达姆巴拉奥 ;

奥莱格·G.·格鲁斯晨科夫 ;

安·L.·斯迪根 ;

海宁·S.·杨 .

中国专利 :CN100428497C ,2006-09-06

[2]

应变沟道晶体管及其制造方法 [P].

丁明镇 .

中国专利 :CN1905211A ,2007-01-31

[3]

具有应变沟道的晶体管制备方法以及具有应变沟道的晶体管 [P].

魏星 ;

母志强 ;

薛忠营 ;

狄增峰 ;

方子韦 .

中国专利 :CN103745928A ,2014-04-23

[4]

隔离的CMOS晶体管和双极晶体管、隔离结构及其制造方法 [P].

唐纳德.R.迪斯尼 ;

理查德.K.威廉斯 .

中国专利 :CN105206560B ,2015-12-30

[5]

具有伸张应变的沟道层的场效应晶体管结构及其制造方法 [P].

杨育佳 ;

杨富量 ;

胡正明 .

中国专利 :CN1284216C ,2004-01-07

[6]

具有应变的硅沟道的场效应晶体管及其制造方法 [P].

李成泳 ;

申东石 .

中国专利 :CN1770470A ,2006-05-10

[7]

制造CMOS晶体管的方法 [P].

郑採贤 .

中国专利 :CN1058809C ,1997-05-14

[8]

垂直沟道晶体管阵列及其制造方法 [P].

永井享浩 .

中国专利 :CN102610612B ,2012-07-25

[9]

垂直沟道晶体管阵列及其制造方法 [P].

小林平治 ;

永井享浩 .

中国专利 :CN102339831A ,2012-02-01

[10]

具有晶格不相称区的应变沟道晶体管结构 [P].

杨育佳 ;

林俊杰 ;

李文钦 ;

胡正明 .

中国专利 :CN2720640Y ,2005-08-24

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