应变半导体CMOS晶体管的制造结构和方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480021901.3

申请日：

2004-08-04

公开(公告)号：

CN100428497C

公开(公告)日：

2006-09-06

发明(设计)人：

陈华杰杜里赛蒂·奇达姆巴拉奥奥莱格·G.·格鲁斯晨科夫安·L.·斯迪根海宁·S.·杨

申请人：

申请人地址：

美国纽约

IPC主分类号：

H01L310328

IPC分类号：

H01L310336 H01L21336 H01L218238

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

屠长存

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-04-10	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101563409135 IPC(主分类):H01L 31/0328 专利号:ZL2004800219013 变更事项:专利权人变更前权利人:国际商业机器公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:美国纽约变更后权利人:200000 上海浦东新区张江路18号登记生效日:20130319
2008-10-22	授权	授权
2006-09-06	公开	公开
2006-10-25	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

具有应变沟道CMOS晶体管的结构及其制造方法 [P].

奥马尔·多库马西 ;

陈华杰 ;

杜雷塞蒂·齐达姆巴拉奥 ;

S·杨海宁 .

中国专利 :CN1985375A ,2007-06-20

[2]

半导体结构、包括半导体结构的晶体管和制造晶体管的方法 [P].

朴永焕 ;

金钟燮 .

中国专利 :CN112909073A ,2021-06-04

[3]

半导体结构、包括半导体结构的晶体管和制造晶体管的方法 [P].

朴永焕 ;

金钟燮 .

韩国专利 :CN112909073B ,2024-03-15

[4]

半导体结构和CMOS晶体管的形成方法 [P].

张海洋 ;

张城龙 ;

纪世良 .

中国专利 :CN106816368A ,2017-06-09

[5]

晶体管、半导体器件和制造晶体管、半导体器件的方法 [P].

朴宰彻 ;

权奇元 .

中国专利 :CN101582453B ,2009-11-18

[6]

半导体晶体管器件和制造半导体晶体管器件的方法 [P].

R.哈斯 ;

J.班达里 ;

H.霍费尔 ;

马凌 ;

A.米尔钱达尼 ;

H.奈克 ;

M.珀尔茨尔 ;

M.H.韦莱迈尔 ;

B.武特 .

中国专利 :CN111354795A ,2020-06-30

[7]

半导体器件和晶体管的制造方法 [P].

申东石 ;

李化成 ;

上野哲 ;

李浩 ;

李承换 .

中国专利 :CN100359639C ,2006-01-25

[8]

制造半导体层的方法和晶体管 [P].

金亨俊 .

韩国专利 :CN120954969A ,2025-11-14

[9]

晶体管通道应变状态不同的半导体结构体及其制造方法 [P].

玛丽亚姆·萨达卡 ;

比什-因·阮 ;

约努茨·拉杜 .

中国专利 :CN105448834B ,2016-03-30

[10]

半导体晶体管的制造方法 [P].

神林宏 ;

寺本章伸 ;

大见忠弘 .

中国专利 :CN102792422A ,2012-11-21

← 1 2 3 4 5 →