半导体晶体管的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180011875.6

申请日：

2011-03-02

公开(公告)号：

CN102792422A

公开(公告)日：

2012-11-21

发明(设计)人：

神林宏寺本章伸大见忠弘

申请人：

申请人地址：

日本国神奈川县

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L29417 H01L2978 H01L29786

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

王亚爱

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-11-21	公开	公开
2014-05-14	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101700898813 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2011800118756 变更事项:申请人变更前权利人:先进动力设备技术研究协会变更后权利人:古河电气工业株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本国神奈川县变更后权利人:日本东京都变更事项:申请人变更前权利人:国立大学法人东北大学变更后权利人:国立大学法人东北大学登记生效日:20140422
2013-01-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101378928906 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2011800118756 申请日:20110302
2015-07-22	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101718161990 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2011800118756 申请公布日:20121121

共 50 条

[1]

半导体晶体管的制造方法 [P].

张贞烈 .

中国专利 :CN101325161A ,2008-12-17

[2]

高压晶体管、半导体晶体管及晶体管的制造方法 [P].

庄建祥 .

中国专利 :CN1897250A ,2007-01-17

[3]

晶体管、半导体器件和制造晶体管、半导体器件的方法 [P].

朴宰彻 ;

权奇元 .

中国专利 :CN101582453B ,2009-11-18

[4]

半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法 [P].

叶俐君 ;

O·布兰克 ;

H·霍费尔 ;

M·胡茨勒 ;

R·西米尼克 .

:CN121057260A ,2025-12-02

[5]

半导体晶体管器件和制造半导体晶体管器件的方法 [P].

R.哈斯 ;

J.班达里 ;

H.霍费尔 ;

马凌 ;

A.米尔钱达尼 ;

H.奈克 ;

M.珀尔茨尔 ;

M.H.韦莱迈尔 ;

B.武特 .

中国专利 :CN111354795A ,2020-06-30

[6]

半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法 [P].

叶俐君 ;

O·布兰克 ;

H·霍费尔 ;

M·胡茨勒 ;

R·西米尼克 .

:CN113257886B ,2025-09-19

[7]

半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法 [P].

叶俐君 ;

O·布兰克 ;

H·霍费尔 ;

M·胡茨勒 ;

R·西米尼克 .

中国专利 :CN113257886A ,2021-08-13

[8]

半导体晶体管 [P].

吴国成 .

中国专利 :CN101728427B ,2010-06-09

[9]

半导体晶体管 [P].

神林宏 ;

上野胜典 ;

野村刚彦 ;

佐藤义浩 ;

寺本章伸 ;

大见忠弘 .

中国专利 :CN102792449B ,2012-11-21

[10]

金氧半导体晶体管的制造方法 [P].

李东兴 ;

陈中怡 .

中国专利 :CN1198325C ,2003-06-11

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