半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110158123.8

申请日：

2021-02-05

公开(公告)号：

CN113257886B

公开(公告)日：

2025-09-19

发明(设计)人：

叶俐君 O·布兰克 H·霍费尔 M·胡茨勒 R·西米尼克

申请人：

英飞凌科技奥地利有限公司

申请人地址：

奥地利菲拉赫西门子大街2号

IPC主分类号：

H10D62/10

IPC分类号：

H10D30/63 H10D30/01

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

刘书航;周学斌

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-19	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法 [P].

叶俐君 ;

O·布兰克 ;

H·霍费尔 ;

M·胡茨勒 ;

R·西米尼克 .

:CN121057260A ,2025-12-02

[2]

半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法 [P].

叶俐君 ;

O·布兰克 ;

H·霍费尔 ;

M·胡茨勒 ;

R·西米尼克 .

中国专利 :CN113257886A ,2021-08-13

[3]

半导体晶体管器件和制造半导体晶体管器件的方法 [P].

R.哈斯 ;

J.班达里 ;

H.霍费尔 ;

马凌 ;

A.米尔钱达尼 ;

H.奈克 ;

M.珀尔茨尔 ;

M.H.韦莱迈尔 ;

B.武特 .

中国专利 :CN111354795A ,2020-06-30

[4]

晶体管、半导体器件和制造晶体管、半导体器件的方法 [P].

朴宰彻 ;

权奇元 .

中国专利 :CN101582453B ,2009-11-18

[5]

半导体晶体管器件 [P].

李孟烈 .

中国专利 :CN102938412A ,2013-02-20

[6]

半导体晶体管器件及其制造方法 [P].

T.法伊尔 .

中国专利 :CN112186039A ,2021-01-05

[7]

半导体晶体管器件及其制造方法 [P].

T.法伊尔 .

:CN112186039B ,2025-09-05

[8]

半导体器件以及晶体管 [P].

田宝华 ;

金锐 ;

和峰 ;

刘江 ;

聂瑞芬 ;

李翠 ;

郝夏敏 .

中国专利 :CN119342877B ,2025-04-11

[9]

晶体管、半导体器件以及半导体模块 [P].

许基宰 ;

山田悟 ;

林濬熙 ;

张成豪 .

中国专利 :CN107256889A ,2017-10-17

[10]

晶体管、半导体器件以及半导体模块 [P].

许基宰 ;

山田悟 ;

林濬熙 ;

张成豪 .

中国专利 :CN103367401A ,2013-10-23

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