半导体晶体管器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210454375.6

申请日：

2008-02-13

公开(公告)号：

CN102938412A

公开(公告)日：

2013-02-20

发明(设计)人：

李孟烈

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道水原市

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L2940 H01L29423

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

郭鸿禧

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-02-20	公开	公开
2015-09-09	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101720461384 IPC(主分类):H01L 29/739 专利申请号:2012104543756 申请公布日:20130220
2013-03-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101422523540 IPC(主分类):H01L 29/739 专利申请号:2012104543756 申请日:20080213

共 50 条

[1]

半导体晶体管器件及其制造方法 [P].

李孟烈 .

中国专利 :CN101246901A ,2008-08-20

[2]

晶体管、半导体器件和制造晶体管、半导体器件的方法 [P].

朴宰彻 ;

权奇元 .

中国专利 :CN101582453B ,2009-11-18

[3]

半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法 [P].

叶俐君 ;

O·布兰克 ;

H·霍费尔 ;

M·胡茨勒 ;

R·西米尼克 .

:CN121057260A ,2025-12-02

[4]

半导体晶体管器件和制造半导体晶体管器件的方法 [P].

R.哈斯 ;

J.班达里 ;

H.霍费尔 ;

马凌 ;

A.米尔钱达尼 ;

H.奈克 ;

M.珀尔茨尔 ;

M.H.韦莱迈尔 ;

B.武特 .

中国专利 :CN111354795A ,2020-06-30

[5]

半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法 [P].

叶俐君 ;

O·布兰克 ;

H·霍费尔 ;

M·胡茨勒 ;

R·西米尼克 .

:CN113257886B ,2025-09-19

[6]

半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法 [P].

叶俐君 ;

O·布兰克 ;

H·霍费尔 ;

M·胡茨勒 ;

R·西米尼克 .

中国专利 :CN113257886A ,2021-08-13

[7]

半导体结构、晶体管和形成晶体管器件的方法 [P].

吴咏捷 ;

何彦忠 ;

魏惠娴 ;

游嘉榕 ;

许秉诚 ;

马礼修 ;

林仲德 .

中国专利 :CN113380899B ,2024-09-24

[8]

半导体结构、晶体管和形成晶体管器件的方法 [P].

吴咏捷 ;

何彦忠 ;

魏惠娴 ;

游嘉榕 ;

许秉诚 ;

马礼修 ;

林仲德 .

中国专利 :CN113380899A ,2021-09-10

[9]

包括晶体管的半导体器件 [P].

高东辰 .

韩国专利 :CN119584549A ,2025-03-07

[10]

半导体结构及晶体管器件 [P].

罗启仁 ;

童宇诚 .

中国专利 :CN217444377U ,2022-09-16

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