半导体晶体管器件和制造半导体晶体管器件的方法

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专利类型
发明
申请号
CN201911325680.3
申请日
2019-12-20
公开(公告)号
CN111354795A
公开(公告)日
2020-06-30
发明(设计)人
R.哈斯 J.班达里 H.霍费尔 马凌 A.米尔钱达尼 H.奈克 M.珀尔茨尔 M.H.韦莱迈尔 B.武特
申请人
申请人地址
奥地利菲拉赫西门子大街2号
IPC主分类号
H01L2978
IPC分类号
H01L21336 H01L2910 H01L29423
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
刘书航;申屠伟进
法律状态
实质审查的生效
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共 50 条
[1]
半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法 [P]. 
叶俐君 ;
O·布兰克 ;
H·霍费尔 ;
M·胡茨勒 ;
R·西米尼克 .
:CN121057260A ,2025-12-02
[2]
半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法 [P]. 
叶俐君 ;
O·布兰克 ;
H·霍费尔 ;
M·胡茨勒 ;
R·西米尼克 .
:CN113257886B ,2025-09-19
[3]
半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法 [P]. 
叶俐君 ;
O·布兰克 ;
H·霍费尔 ;
M·胡茨勒 ;
R·西米尼克 .
中国专利 :CN113257886A ,2021-08-13
[4]
晶体管、半导体器件和制造晶体管、半导体器件的方法 [P]. 
朴宰彻 ;
权奇元 .
中国专利 :CN101582453B ,2009-11-18
[5]
半导体晶体管器件 [P]. 
李孟烈 .
中国专利 :CN102938412A ,2013-02-20
[6]
半导体器件和晶体管 [P]. 
颜智洋 ;
刘致为 ;
赖德全 ;
丁媛文 .
中国专利 :CN106158934A ,2016-11-23
[7]
半导体晶体管器件及其制造方法 [P]. 
李孟烈 .
中国专利 :CN101246901A ,2008-08-20
[8]
半导体晶体管器件及其制造方法 [P]. 
T.法伊尔 .
中国专利 :CN112186039A ,2021-01-05
[9]
半导体晶体管器件及其制造方法 [P]. 
T.法伊尔 .
:CN112186039B ,2025-09-05
[10]
半导体结构、晶体管和形成晶体管器件的方法 [P]. 
吴咏捷 ;
何彦忠 ;
魏惠娴 ;
游嘉榕 ;
许秉诚 ;
马礼修 ;
林仲德 .
中国专利 :CN113380899B ,2024-09-24