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半导体晶体管器件和制造半导体晶体管器件的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201911325680.3
申请日
:
2019-12-20
公开(公告)号
:
CN111354795A
公开(公告)日
:
2020-06-30
发明(设计)人
:
R.哈斯
J.班达里
H.霍费尔
马凌
A.米尔钱达尼
H.奈克
M.珀尔茨尔
M.H.韦莱迈尔
B.武特
申请人
:
申请人地址
:
奥地利菲拉赫西门子大街2号
IPC主分类号
:
H01L2978
IPC分类号
:
H01L21336
H01L2910
H01L29423
代理机构
:
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
:
刘书航;申屠伟进
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-01-07
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20191220
2020-06-30
公开
公开
共 50 条
[1]
半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法
[P].
叶俐君
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
英飞凌科技奥地利有限公司
英飞凌科技奥地利有限公司
叶俐君
;
O·布兰克
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机构:
英飞凌科技奥地利有限公司
英飞凌科技奥地利有限公司
O·布兰克
;
H·霍费尔
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0
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机构:
英飞凌科技奥地利有限公司
英飞凌科技奥地利有限公司
H·霍费尔
;
M·胡茨勒
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机构:
英飞凌科技奥地利有限公司
英飞凌科技奥地利有限公司
M·胡茨勒
;
R·西米尼克
论文数:
0
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0
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0
机构:
英飞凌科技奥地利有限公司
英飞凌科技奥地利有限公司
R·西米尼克
.
:CN121057260A
,2025-12-02
[2]
半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法
[P].
叶俐君
论文数:
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机构:
英飞凌科技奥地利有限公司
英飞凌科技奥地利有限公司
叶俐君
;
O·布兰克
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机构:
英飞凌科技奥地利有限公司
英飞凌科技奥地利有限公司
O·布兰克
;
H·霍费尔
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机构:
英飞凌科技奥地利有限公司
英飞凌科技奥地利有限公司
H·霍费尔
;
M·胡茨勒
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机构:
英飞凌科技奥地利有限公司
英飞凌科技奥地利有限公司
M·胡茨勒
;
R·西米尼克
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0
机构:
英飞凌科技奥地利有限公司
英飞凌科技奥地利有限公司
R·西米尼克
.
:CN113257886B
,2025-09-19
[3]
半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法
[P].
叶俐君
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叶俐君
;
O·布兰克
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O·布兰克
;
H·霍费尔
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H·霍费尔
;
M·胡茨勒
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M·胡茨勒
;
R·西米尼克
论文数:
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R·西米尼克
.
中国专利
:CN113257886A
,2021-08-13
[4]
晶体管、半导体器件和制造晶体管、半导体器件的方法
[P].
朴宰彻
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朴宰彻
;
权奇元
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权奇元
.
中国专利
:CN101582453B
,2009-11-18
[5]
半导体晶体管器件
[P].
李孟烈
论文数:
0
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0
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0
李孟烈
.
中国专利
:CN102938412A
,2013-02-20
[6]
半导体器件和晶体管
[P].
颜智洋
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颜智洋
;
刘致为
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刘致为
;
赖德全
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赖德全
;
丁媛文
论文数:
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丁媛文
.
中国专利
:CN106158934A
,2016-11-23
[7]
半导体晶体管器件及其制造方法
[P].
李孟烈
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0
李孟烈
.
中国专利
:CN101246901A
,2008-08-20
[8]
半导体晶体管器件及其制造方法
[P].
T.法伊尔
论文数:
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T.法伊尔
.
中国专利
:CN112186039A
,2021-01-05
[9]
半导体晶体管器件及其制造方法
[P].
T.法伊尔
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机构:
英飞凌科技奥地利有限公司
英飞凌科技奥地利有限公司
T.法伊尔
.
:CN112186039B
,2025-09-05
[10]
半导体结构、晶体管和形成晶体管器件的方法
[P].
吴咏捷
论文数:
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
吴咏捷
;
何彦忠
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
何彦忠
;
魏惠娴
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
魏惠娴
;
游嘉榕
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
游嘉榕
;
许秉诚
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
许秉诚
;
马礼修
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
马礼修
;
林仲德
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
林仲德
.
中国专利
:CN113380899B
,2024-09-24
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