半导体器件和晶体管的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510091369.9

申请日：

2005-06-17

公开(公告)号：

CN100359639C

公开(公告)日：

2006-01-25

发明(设计)人：

申东石李化成上野哲李浩李承换

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

H01L21336 H01L2978

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波;侯宇

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-27	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/20 申请日:20050617 授权公告日:20080102 终止日期:20210617
2008-01-02	授权	授权
2006-01-25	公开	公开
2006-03-22	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

晶体管、半导体器件和制造晶体管、半导体器件的方法 [P].

朴宰彻 ;

权奇元 .

中国专利 :CN101582453B ,2009-11-18

[2]

半导体晶体管器件和制造半导体晶体管器件的方法 [P].

R.哈斯 ;

J.班达里 ;

H.霍费尔 ;

马凌 ;

A.米尔钱达尼 ;

H.奈克 ;

M.珀尔茨尔 ;

M.H.韦莱迈尔 ;

B.武特 .

中国专利 :CN111354795A ,2020-06-30

[3]

制造半导体器件和晶体管的方法 [P].

王裕平 .

中国专利 :CN103187304A ,2013-07-03

[4]

晶体管、包括该晶体管的半导体器件及其制造方法 [P].

梁擎擎 ;

朱慧珑 ;

钟汇才 .

中国专利 :CN102569393A ,2012-07-11

[5]

半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法 [P].

叶俐君 ;

O·布兰克 ;

H·霍费尔 ;

M·胡茨勒 ;

R·西米尼克 .

:CN121057260A ,2025-12-02

[6]

半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法 [P].

叶俐君 ;

O·布兰克 ;

H·霍费尔 ;

M·胡茨勒 ;

R·西米尼克 .

:CN113257886B ,2025-09-19

[7]

半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法 [P].

叶俐君 ;

O·布兰克 ;

H·霍费尔 ;

M·胡茨勒 ;

R·西米尼克 .

中国专利 :CN113257886A ,2021-08-13

[8]

半导体器件和晶体管 [P].

颜智洋 ;

刘致为 ;

赖德全 ;

丁媛文 .

中国专利 :CN106158934A ,2016-11-23

[9]

半导体器件的晶体管的制造方法 [P].

朴正浩 .

中国专利 :CN1992182A ,2007-07-04

[10]

含功率晶体管单元和横向晶体管的半导体器件及制造方法 [P].

R·津克 ;

S·德克尔 ;

S·兰泽斯托费 .

中国专利 :CN105226020B ,2016-01-06

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