半导体器件的晶体管的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610170107.6

申请日：

2006-12-22

公开(公告)号：

CN1992182A

公开(公告)日：

2007-07-04

发明(设计)人：

朴正浩

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

郑小军

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-07-14	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101003233392 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2006101701076 公开日:20070704
2007-07-04	公开	公开
2007-08-29	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

晶体管、半导体器件和制造晶体管、半导体器件的方法 [P].

朴宰彻 ;

权奇元 .

中国专利 :CN101582453B ,2009-11-18

[2]

半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法 [P].

叶俐君 ;

O·布兰克 ;

H·霍费尔 ;

M·胡茨勒 ;

R·西米尼克 .

:CN121057260A ,2025-12-02

[3]

半导体晶体管器件和制造半导体晶体管器件的方法 [P].

R.哈斯 ;

J.班达里 ;

H.霍费尔 ;

马凌 ;

A.米尔钱达尼 ;

H.奈克 ;

M.珀尔茨尔 ;

M.H.韦莱迈尔 ;

B.武特 .

中国专利 :CN111354795A ,2020-06-30

[4]

半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法 [P].

叶俐君 ;

O·布兰克 ;

H·霍费尔 ;

M·胡茨勒 ;

R·西米尼克 .

:CN113257886B ,2025-09-19

[5]

半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法 [P].

叶俐君 ;

O·布兰克 ;

H·霍费尔 ;

M·胡茨勒 ;

R·西米尼克 .

中国专利 :CN113257886A ,2021-08-13

[6]

晶体管的制备方法、晶体管及半导体器件 [P].

吴恒 ;

滕飞宇 ;

闫祥宇 ;

王润声 ;

黄如 .

中国专利 :CN119653847A ,2025-03-18

[7]

半导体器件和晶体管的制造方法 [P].

申东石 ;

李化成 ;

上野哲 ;

李浩 ;

李承换 .

中国专利 :CN100359639C ,2006-01-25

[8]

制造半导体器件和晶体管的方法 [P].

王裕平 .

中国专利 :CN103187304A ,2013-07-03

[9]

LDMOS晶体管、半导体器件及其制造方法 [P].

郑大燮 ;

王东立 ;

陈德艳 ;

陈良成 ;

崔崟 .

中国专利 :CN101740392A ,2010-06-16

[10]

晶体管、包括该晶体管的半导体器件及其制造方法 [P].

梁擎擎 ;

朱慧珑 ;

钟汇才 .

中国专利 :CN102569393A ,2012-07-11

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