晶体管、包括该晶体管的半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010610932.X

申请日：

2010-12-17

公开(公告)号：

CN102569393A

公开(公告)日：

2012-07-11

发明(设计)人：

梁擎擎朱慧珑钟汇才

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L27105 H01L29423 H01L21336 H01L218238 H01L2128

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

初媛媛;刘鹏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-07-11	公开	公开
2012-09-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101324736317 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:201010610932X 申请日:20101217
2015-01-14	授权	授权

共 50 条

[1]

晶体管、半导体器件和制造晶体管、半导体器件的方法 [P].

朴宰彻 ;

权奇元 .

中国专利 :CN101582453B ,2009-11-18

[2]

包括LDMOS 晶体管的半导体器件及其制造方法和LDMOS 晶体管 [P].

赫尔穆特·布雷赫 ;

阿尔贝特·比尔纳 ;

米夏埃拉·布朗恩 ;

扬·罗波尔 ;

马西亚斯·齐格尔德鲁姆 .

中国专利 :CN107546204A ,2018-01-05

[3]

包括晶体管的半导体器件 [P].

高东辰 .

韩国专利 :CN119584549A ,2025-03-07

[4]

半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法 [P].

叶俐君 ;

O·布兰克 ;

H·霍费尔 ;

M·胡茨勒 ;

R·西米尼克 .

:CN121057260A ,2025-12-02

[5]

半导体晶体管器件和制造半导体晶体管器件的方法 [P].

R.哈斯 ;

J.班达里 ;

H.霍费尔 ;

马凌 ;

A.米尔钱达尼 ;

H.奈克 ;

M.珀尔茨尔 ;

M.H.韦莱迈尔 ;

B.武特 .

中国专利 :CN111354795A ,2020-06-30

[6]

半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法 [P].

叶俐君 ;

O·布兰克 ;

H·霍费尔 ;

M·胡茨勒 ;

R·西米尼克 .

:CN113257886B ,2025-09-19

[7]

半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法 [P].

叶俐君 ;

O·布兰克 ;

H·霍费尔 ;

M·胡茨勒 ;

R·西米尼克 .

中国专利 :CN113257886A ,2021-08-13

[8]

薄膜晶体管及其制造方法和包括该晶体管的半导体器件 [P].

保罗·S·安德里 ;

弗兰克·R·利布希 ;

辻村隆俊 .

中国专利 :CN1183604C ,2002-08-28

[9]

晶体管和包括晶体管的半导体存储器件 [P].

李世薰 ;

林濬熙 ;

吴浚硕 ;

张盛弼 .

韩国专利 :CN119604023A ,2025-03-11

[10]

半导体晶体管器件及其制造方法 [P].

李孟烈 .

中国专利 :CN101246901A ,2008-08-20

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