薄膜晶体管及其制造方法和包括该晶体管的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01144051.1

申请日：

2001-12-28

公开(公告)号：

CN1183604C

公开(公告)日：

2002-08-28

发明(设计)人：

保罗·S·安德里弗兰克·R·利布希辻村隆俊

申请人：

申请人地址：

美国纽约州

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

李晓舒;魏晓刚

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2002-04-10	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-08-16	专利申请权、专利权的转移专利权的转移	专利申请权、专利权的转移专利权的转移变更事项:专利权人变更前权利人:国际商业机器公司变更后权利人:友达光电股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:美国纽约州变更后权利人:中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行二路一号登记生效日:20060707
2005-01-05	授权	授权
2002-08-28	公开	公开
2022-01-14	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 29/786 申请日:20011228 授权公告日:20050105

共 50 条

[1]

薄膜晶体管及该薄膜晶体管的制造方法 [P].

宫入秀和 ;

加藤绘里香 ;

铃木邦彦 .

中国专利 :CN101834140A ,2010-09-15

[2]

薄膜晶体管及其制造方法及包括该薄膜晶体管的显示设备 [P].

梁晸硕 ;

赵光敏 ;

李昭珩 .

韩国专利 :CN112635571B ,2024-08-02

[3]

薄膜晶体管及其制造方法及包括该薄膜晶体管的显示设备 [P].

梁晸硕 ;

赵光敏 ;

李昭珩 .

中国专利 :CN112635571A ,2021-04-09

[4]

薄膜晶体管及其制造方法和包括该薄膜晶体管的显示设备 [P].

金泰雄 ;

张震 ;

克里斯托弗·文森特·阿维斯 ;

金渊龟 .

中国专利 :CN103594522A ,2014-02-19

[5]

薄膜晶体管、半导体器件及其制造方法 [P].

荒尾达也 ;

三宅博之 .

中国专利 :CN100511712C ,2005-09-14

[6]

晶体管、包括该晶体管的半导体器件及其制造方法 [P].

梁擎擎 ;

朱慧珑 ;

钟汇才 .

中国专利 :CN102569393A ,2012-07-11

[7]

薄膜半导体器件、薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法 [P].

河内玄士朗 .

中国专利 :CN101097926B ,2008-01-02

[8]

薄膜晶体管及半导体器件 [P].

山崎舜平 ;

三津木亨 ;

笠原健司 ;

浅见勇臣 ;

高野圭惠 ;

志知武司 ;

小久保千穗 ;

荒井康行 .

中国专利 :CN1346152A ,2002-04-24

[9]

薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法 [P].

黄显相 .

韩国专利 :CN119452755A ,2025-02-14

[10]

薄膜晶体管及包括该薄膜晶体管的显示设备 [P].

崔圣主 ;

薛玹珠 ;

郑进元 ;

朴在润 .

韩国专利 :CN118263284A ,2024-06-28

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