含功率晶体管单元和横向晶体管的半导体器件及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510354653.4

申请日：

2015-06-24

公开(公告)号：

CN105226020B

公开(公告)日：

2016-01-06

发明(设计)人：

R·津克 S·德克尔 S·兰泽斯托费

申请人：

申请人地址：

德国诺伊比贝尔格

IPC主分类号：

H01L2182

IPC分类号：

H01L2704

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

郑立柱;董典红

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-02-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101644512922 IPC(主分类):H01L 21/82 专利申请号:2015103546534 申请日:20150624
2018-10-12	授权	授权
2016-01-06	公开	公开

共 50 条

[1]

晶体管、半导体器件和制造晶体管、半导体器件的方法 [P].

朴宰彻 ;

权奇元 .

中国专利 :CN101582453B ,2009-11-18

[2]

半导体晶体管器件和制造半导体晶体管器件的方法 [P].

R.哈斯 ;

J.班达里 ;

H.霍费尔 ;

马凌 ;

A.米尔钱达尼 ;

H.奈克 ;

M.珀尔茨尔 ;

M.H.韦莱迈尔 ;

B.武特 .

中国专利 :CN111354795A ,2020-06-30

[3]

半导体结构、晶体管和形成晶体管器件的方法 [P].

吴咏捷 ;

何彦忠 ;

魏惠娴 ;

游嘉榕 ;

许秉诚 ;

马礼修 ;

林仲德 .

中国专利 :CN113380899B ,2024-09-24

[4]

半导体结构、晶体管和形成晶体管器件的方法 [P].

吴咏捷 ;

何彦忠 ;

魏惠娴 ;

游嘉榕 ;

许秉诚 ;

马礼修 ;

林仲德 .

中国专利 :CN113380899A ,2021-09-10

[5]

包括横向晶体管的半导体器件 [P].

F.希尔勒 ;

A.毛德 ;

A.迈泽 ;

T.施勒泽 .

中国专利 :CN107026207A ,2017-08-08

[6]

垂直功率晶体管器件、半导体管芯及制造垂直功率晶体管器件的方法 [P].

菲利普·雷诺 ;

布鲁斯·格林 .

中国专利 :CN102612750A ,2012-07-25

[7]

半导体器件和晶体管的制造方法 [P].

申东石 ;

李化成 ;

上野哲 ;

李浩 ;

李承换 .

中国专利 :CN100359639C ,2006-01-25

[8]

晶体管、包括该晶体管的半导体器件及其制造方法 [P].

梁擎擎 ;

朱慧珑 ;

钟汇才 .

中国专利 :CN102569393A ,2012-07-11

[9]

横向功率半导体晶体管 [P].

V·帕蒂拉纳 ;

N·尤德戈姆波拉 ;

T·特拉伊科维奇 .

中国专利 :CN105409004A ,2016-03-16

[10]

半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法 [P].

叶俐君 ;

O·布兰克 ;

H·霍费尔 ;

M·胡茨勒 ;

R·西米尼克 .

:CN121057260A ,2025-12-02

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