垂直功率晶体管器件、半导体管芯及制造垂直功率晶体管器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980162502.1

申请日：

2009-11-19

公开(公告)号：

CN102612750A

公开(公告)日：

2012-07-25

发明(设计)人：

菲利普·雷诺布鲁斯·格林

申请人：

申请人地址：

美国得克萨斯

IPC主分类号：

H01L29735

IPC分类号：

H01L29737

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

李宝泉;周亚荣

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-19	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 29/735 变更事项:专利权人变更前:飞思卡尔半导体公司变更后:恩智浦美国有限公司变更事项:地址变更前:美国得克萨斯变更后:美国得克萨斯
2012-07-25	公开	公开
2012-09-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101328713173 IPC(主分类):H01L 29/735 专利申请号:2009801625021 申请日:20091119
2015-07-29	授权	授权

共 50 条

[1]

垂直功率晶体管器件 [P].

V.帕拉 ;

A.K.阿加瓦尔 ;

L.程 ;

D.J.利奇滕瓦尔纳 ;

J.W.帕尔摩尔 .

中国专利 :CN105431948A ,2016-03-23

[2]

功率晶体管器件垂直集成 [P].

F.希尔勒 ;

A.莫德 ;

H-J.舒尔策 ;

H.施特拉克 .

中国专利 :CN102738148A ,2012-10-17

[3]

具有垂直晶体管器件的半导体管芯 [P].

T·菲尔 .

中国专利 :CN115377096A ,2022-11-22

[4]

垂直功率晶体管和用于制造垂直功率晶体管的方法 [P].

H·鲍托尔夫 ;

A·格拉赫 ;

S·施魏格尔 .

德国专利 :CN112424942B ,2025-05-23

[5]

垂直功率晶体管和用于制造垂直功率晶体管的方法 [P].

H·鲍托尔夫 ;

A·格拉赫 ;

S·施魏格尔 .

中国专利 :CN112424942A ,2021-02-26

[6]

用于制造垂直功率晶体管的方法和垂直功率晶体管 [P].

J·巴林豪斯 ;

K·丹内克尔 .

德国专利 :CN119069355A ,2024-12-03

[7]

垂直晶体管的制备方法、垂直晶体管、器件及设备 [P].

吴恒 ;

王逸勐 ;

黄如 ;

王润声 ;

黎明 .

中国专利 :CN118039486A ,2024-05-14

[8]

功率晶体管器件 [P].

S·伍 ;

J·帕克 ;

S·李 ;

S·金 ;

金大源 ;

李元兌 .

中国专利 :CN111313888A ,2020-06-19

[9]

含功率晶体管单元和横向晶体管的半导体器件及制造方法 [P].

R·津克 ;

S·德克尔 ;

S·兰泽斯托费 .

中国专利 :CN105226020B ,2016-01-06

[10]

晶体管、半导体器件和制造晶体管、半导体器件的方法 [P].

朴宰彻 ;

权奇元 .

中国专利 :CN101582453B ,2009-11-18

← 1 2 3 4 5 →