横向功率半导体晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480037778.8

申请日：

2014-06-11

公开(公告)号：

CN105409004A

公开(公告)日：

2016-03-16

发明(设计)人：

V·帕蒂拉纳 N·尤德戈姆波拉 T·特拉伊科维奇

申请人：

申请人地址：

英国剑桥郡

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L2908 H01L2966 H01L29423

代理机构：

北京润平知识产权代理有限公司 11283

代理人：

谢鑫;肖冰滨

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101659297123 IPC(主分类):H01L 29/739 专利申请号:2014800377788 申请日:20140611
2016-03-16	公开	公开
2020-07-28	授权	授权
2022-06-07	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/739 申请日:20140611 授权公告日:20200728 终止日期:20210611

共 50 条

[1]

功率半导体晶体管 [P].

H-P.费尔斯尔 ;

M.耶利内克 ;

V.科马尼茨基 ;

K.施拉姆尔 ;

H-J.舒尔策 .

德国专利 :CN110943120B ,2025-03-28

[2]

功率半导体晶体管 [P].

H-P.费尔斯尔 ;

M.耶利内克 ;

V.科马尼茨基 ;

K.施拉姆尔 ;

H-J.舒尔策 .

中国专利 :CN110943120A ,2020-03-31

[3]

分裂栅功率半导体场效应晶体管 [P].

伍震威 ;

梁嘉进 ;

单建安 .

中国专利 :CN104737298B ,2015-06-24

[4]

具有横向绝缘栅双极晶体管的半导体器件 [P].

芦田洋一 ;

高桥茂树 .

中国专利 :CN103187440A ,2013-07-03

[5]

具有双极横向功率晶体管的半导体部件 [P].

A·奈特 ;

J·科尔德茨 ;

R·贝尔 .

中国专利 :CN1723560A ,2006-01-18

[6]

包括横向晶体管的半导体器件 [P].

F.希尔勒 ;

A.毛德 ;

A.迈泽 ;

T.施勒泽 .

中国专利 :CN107026207A ,2017-08-08

[7]

半导体晶体管 [P].

吴国成 .

中国专利 :CN101728427B ,2010-06-09

[8]

半导体晶体管 [P].

神林宏 ;

上野胜典 ;

野村刚彦 ;

佐藤义浩 ;

寺本章伸 ;

大见忠弘 .

中国专利 :CN102792449B ,2012-11-21

[9]

含功率晶体管单元和横向晶体管的半导体器件及制造方法 [P].

R·津克 ;

S·德克尔 ;

S·兰泽斯托费 .

中国专利 :CN105226020B ,2016-01-06

[10]

横向绝缘栅双极晶体管 [P].

户仓规仁 ;

高桥茂树 ;

芦田洋一 ;

中川明夫 .

中国专利 :CN102403341B ,2012-04-04

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