具有横向绝缘栅双极晶体管的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210585132.6

申请日：

2012-12-28

公开(公告)号：

CN103187440A

公开(公告)日：

2013-07-03

发明(设计)人：

芦田洋一高桥茂树

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

王英;刘炳胜

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-02-17	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101728046439 IPC(主分类):H01L 29/739 专利申请号:2012105851326 申请公布日:20130703
2013-07-31	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101499125815 IPC(主分类):H01L 29/739 专利申请号:2012105851326 申请日:20121228
2013-07-03	公开	公开

共 50 条

[1]

具有绝缘栅半导体元件的半导体器件和绝缘栅双极晶体管 [P].

小山雅纪 ;

冈部好文 ;

浅井诚 ;

藤井岳志 ;

吉川功 .

中国专利 :CN101499473A ,2009-08-05

[2]

横向绝缘栅双极晶体管 [P].

户仓规仁 ;

高桥茂树 ;

芦田洋一 ;

中川明夫 .

中国专利 :CN102403341B ,2012-04-04

[3]

半导体器件和绝缘栅双极晶体管 [P].

A.里格勒 .

中国专利 :CN105609487A ,2016-05-25

[4]

绝缘栅双极晶体管器件和半导体器件 [P].

C·P·桑道 ;

F·J·涅德诺斯塞德 ;

V·范特里克 .

中国专利 :CN108962749B ,2018-12-07

[5]

包括绝缘栅双极晶体管的半导体器件 [P].

C·P·桑多 ;

W·勒斯纳 .

中国专利 :CN112909084A ,2021-06-04

[6]

包括绝缘栅双极晶体管的半导体器件 [P].

C·P·桑多 ;

W·勒斯纳 .

:CN112909084B ,2025-11-21

[7]

绝缘栅双极晶体管 [P].

田中宏明 ;

河路佐智子 .

中国专利 :CN100449778C ,2007-06-20

[8]

内置绝缘栅双极晶体管的半导体装置 [P].

寺岛知秀 .

中国专利 :CN102280450B ,2011-12-14

[9]

内置绝缘栅双极晶体管的半导体装置 [P].

寺岛知秀 .

中国专利 :CN101752371A ,2010-06-23

[10]

绝缘栅双极晶体管的器件结构 [P].

胡晓明 .

中国专利 :CN202282353U ,2012-06-20

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