绝缘栅双极晶体管器件和半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810575915.3

申请日：

2015-06-24

公开(公告)号：

CN108962749B

公开(公告)日：

2018-12-07

发明(设计)人：

C·P·桑道 F·J·涅德诺斯塞德 V·范特里克

申请人：

申请人地址：

德国诺伊比贝尔格

IPC主分类号：

H01L21331

IPC分类号：

H01L2906 H01L29739

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

郑立柱

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-03	授权	授权
2019-01-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/331 申请日:20150624
2018-12-07	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件和绝缘栅双极晶体管 [P].

A.里格勒 .

中国专利 :CN105609487A ,2016-05-25

[2]

绝缘栅双极晶体管器件、半导体器件和用于形成所述器件的方法 [P].

C·P·桑道 ;

F·J·涅德诺斯塞德 ;

V·范特里克 .

中国专利 :CN105226086A ,2016-01-06

[3]

具有绝缘栅半导体元件的半导体器件和绝缘栅双极晶体管 [P].

小山雅纪 ;

冈部好文 ;

浅井诚 ;

藤井岳志 ;

吉川功 .

中国专利 :CN101499473A ,2009-08-05

[4]

包括绝缘栅双极晶体管的半导体器件 [P].

C·P·桑多 ;

W·勒斯纳 .

中国专利 :CN112909084A ,2021-06-04

[5]

包括绝缘栅双极晶体管的半导体器件 [P].

C·P·桑多 ;

W·勒斯纳 .

:CN112909084B ,2025-11-21

[6]

具有横向绝缘栅双极晶体管的半导体器件 [P].

芦田洋一 ;

高桥茂树 .

中国专利 :CN103187440A ,2013-07-03

[7]

半导体管芯、半导体器件以及绝缘栅双极晶体管模块 [P].

V·范特里克 ;

R·巴布斯克 ;

C·耶格 ;

C·R·缪勒 ;

F-J·尼德诺斯泰德 ;

F·D·普菲尔施 ;

A·菲利波 ;

J·施佩希特 .

中国专利 :CN112768518A ,2021-05-07

[8]

绝缘栅双极晶体管 [P].

王颢 .

中国专利 :CN102254935A ,2011-11-23

[9]

半导体器件和有形成在半导体台面源区绝缘栅双极晶体管 [P].

R·巴布尔斯克 ;

M·戴内塞 ;

J·G·拉文 ;

P·莱希纳 ;

H-J·舒尔策 .

中国专利 :CN105097906B ,2015-11-25

[10]

半导体器件和有形成在半导体台面源区绝缘栅双极晶体管 [P].

R.巴布尔斯克 ;

M.戴内塞 ;

J.G.拉文 ;

P.莱希纳 ;

H-J.舒尔策 .

中国专利 :CN110047919A ,2019-07-23

← 1 2 3 4 5 →