包括绝缘栅双极晶体管的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011402792.7

申请日：

2020-12-04

公开(公告)号：

CN112909084A

公开(公告)日：

2021-06-04

发明(设计)人：

C·P·桑多 W·勒斯纳

申请人：

申请人地址：

奥地利菲拉赫西门子大街2号

IPC主分类号：

H01L29417

IPC分类号：

H01L29861 H01L29739 H01L2706 H01L218249 H01L21329 H01L21331 H01L2128

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

刘书航;周学斌

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-04	公开	公开

共 50 条

[1]

包括绝缘栅双极晶体管的半导体器件 [P].

C·P·桑多 ;

W·勒斯纳 .

:CN112909084B ,2025-11-21

[2]

半导体器件和绝缘栅双极晶体管 [P].

A.里格勒 .

中国专利 :CN105609487A ,2016-05-25

[3]

绝缘栅双极晶体管器件和半导体器件 [P].

C·P·桑道 ;

F·J·涅德诺斯塞德 ;

V·范特里克 .

中国专利 :CN108962749B ,2018-12-07

[4]

具有绝缘栅半导体元件的半导体器件和绝缘栅双极晶体管 [P].

小山雅纪 ;

冈部好文 ;

浅井诚 ;

藤井岳志 ;

吉川功 .

中国专利 :CN101499473A ,2009-08-05

[5]

具有横向绝缘栅双极晶体管的半导体器件 [P].

芦田洋一 ;

高桥茂树 .

中国专利 :CN103187440A ,2013-07-03

[6]

半导体管芯、半导体器件以及绝缘栅双极晶体管模块 [P].

V·范特里克 ;

R·巴布斯克 ;

C·耶格 ;

C·R·缪勒 ;

F-J·尼德诺斯泰德 ;

F·D·普菲尔施 ;

A·菲利波 ;

J·施佩希特 .

中国专利 :CN112768518A ,2021-05-07

[7]

绝缘栅双极晶体管 [P].

田中宏明 ;

河路佐智子 .

中国专利 :CN100449778C ,2007-06-20

[8]

内置绝缘栅双极晶体管的半导体装置 [P].

寺岛知秀 .

中国专利 :CN102280450B ,2011-12-14

[9]

内置绝缘栅双极晶体管的半导体装置 [P].

寺岛知秀 .

中国专利 :CN101752371A ,2010-06-23

[10]

绝缘栅双极晶体管器件、半导体器件和用于形成所述器件的方法 [P].

C·P·桑道 ;

F·J·涅德诺斯塞德 ;

V·范特里克 .

中国专利 :CN105226086A ,2016-01-06

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