具有双极横向功率晶体管的半导体部件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200380105577.9

申请日：

2003-12-08

公开(公告)号：

CN1723560A

公开(公告)日：

2006-01-18

发明(设计)人：

A·奈特 J·科尔德茨 R·贝尔

申请人：

申请人地址：

荷兰艾恩德霍芬

IPC主分类号：

H01L2702

IPC分类号：

H01L2970 H01L2973 H01L29735 H01L29423 H01L2906 H01L2910 H01L2908 H01L2707

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

吴立明;梁永

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-03-15	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-08-20	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

横向功率半导体晶体管 [P].

V·帕蒂拉纳 ;

N·尤德戈姆波拉 ;

T·特拉伊科维奇 .

中国专利 :CN105409004A ,2016-03-16

[2]

具有增强的双极放大的功率半导体晶体管 [P].

罗曼·巴布尔斯科 ;

约翰内斯·乔治·拉文 ;

汉斯-约阿希姆·舒尔策 ;

安东尼奥·韦莱伊 .

中国专利 :CN107039513A ,2017-08-11

[3]

具有晶体管的半导体部件 [P].

G.库拉托拉 ;

O.黑贝伦 ;

W.里格 ;

A.桑德斯 .

中国专利 :CN104733521A ,2015-06-24

[4]

功率半导体晶体管 [P].

H-P.费尔斯尔 ;

M.耶利内克 ;

V.科马尼茨基 ;

K.施拉姆尔 ;

H-J.舒尔策 .

德国专利 :CN110943120B ,2025-03-28

[5]

功率半导体晶体管 [P].

H-P.费尔斯尔 ;

M.耶利内克 ;

V.科马尼茨基 ;

K.施拉姆尔 ;

H-J.舒尔策 .

中国专利 :CN110943120A ,2020-03-31

[6]

含功率晶体管单元和横向晶体管的半导体器件及制造方法 [P].

R·津克 ;

S·德克尔 ;

S·兰泽斯托费 .

中国专利 :CN105226020B ,2016-01-06

[7]

一种具有网格结构的双极功率晶体管 [P].

黄宏嘉 ;

林和 ;

牛崇实 ;

洪学天 .

中国专利 :CN113594239B ,2021-11-02

[8]

具有改进的栅极电荷的功率半导体晶体管 [P].

法希德·伊拉瓦尼 ;

扬·尼尔森 .

中国专利 :CN104934477B ,2015-09-23

[9]

横向绝缘栅双极型晶体管 [P].

内海智之 ;

涩谷隆浩 ;

大关正一 ;

长谷川裕之 .

中国专利 :CN100456480C ,2007-03-28

[10]

包括横向晶体管的半导体器件 [P].

F.希尔勒 ;

A.毛德 ;

A.迈泽 ;

T.施勒泽 .

中国专利 :CN107026207A ,2017-08-08

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