一种CMOS器件的制备方法及CMOS器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411288707.7

申请日：

2024-09-14

公开(公告)号：

CN118800730B

公开(公告)日：

2025-01-28

发明(设计)人：

刘云洁庄立强王永功任杰张翔马美玲赵海红陈鑫何成功

申请人：

天水天光半导体有限责任公司

申请人地址：

741099 甘肃省天水市秦州区环城西路7号

IPC主分类号：

H10D84/01

IPC分类号：

H10D84/85 H01L21/28

代理机构：

北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463

代理人：

黄亚茹

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

甘肃省天水市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-05	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/8238申请日:20240914
2024-10-18	公开	公开
2025-01-28	授权	授权

共 50 条

[1]

一种CMOS器件的制备方法及CMOS器件 [P].

刘云洁 ;

庄立强 ;

王永功 ;

任杰 ;

张翔 ;

马美玲 ;

赵海红 ;

陈鑫 ;

何成功 .

中国专利 :CN118800730A ,2024-10-18

[2]

一种CMOS器件制造工艺及基于该工艺制备的CMOS器件 [P].

张运炎 ;

张唯桐 .

中国专利 :CN119069426A ,2024-12-03

[3]

CMOS器件制造方法及CMOS器件 [P].

崔金洪 .

中国专利 :CN104347509B ,2015-02-11

[4]

CMOS器件及调节CMOS器件阈值的方法 [P].

殷华湘 ;

姚佳欣 ;

王文武 ;

叶甜春 .

中国专利 :CN108511392A ,2018-09-07

[5]

CMOS器件及调节CMOS器件阈值的方法 [P].

殷华湘 ;

姚佳欣 ;

王文武 ;

叶甜春 .

中国专利 :CN108493157A ,2018-09-04

[6]

一种调节CMOS器件阈值的方法及CMOS器件 [P].

余毅 ;

郭同健 .

中国专利 :CN117613006A ,2024-02-27

[7]

一种调节CMOS器件阈值的方法及CMOS器件 [P].

殷华湘 ;

张青竹 ;

赵超 ;

叶甜春 .

中国专利 :CN107195585A ,2017-09-22

[8]

一种调节CMOS器件阈值的方法及CMOS器件 [P].

叶甜春 ;

殷华湘 ;

张青竹 ;

赵超 .

中国专利 :CN107195631B ,2017-09-22

[9]

一种调节CMOS器件阈值的方法及CMOS器件 [P].

余毅 ;

郭同健 .

中国专利 :CN117613006B ,2024-04-02

[10]

CMOS器件及其制备方法 [P].

毛淑娟 ;

罗军 ;

许静 .

中国专利 :CN109671621B ,2019-04-23

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