一种调节CMOS器件阈值的方法及CMOS器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710272373.8

申请日：

2017-04-24

公开(公告)号：

CN107195585A

公开(公告)日：

2017-09-22

发明(设计)人：

殷华湘张青竹赵超叶甜春

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L27092

代理机构：

北京华沛德权律师事务所 11302

代理人：

房德权

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-09-22	公开	公开
2019-11-12	授权	授权
2017-10-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请日:20170424

共 50 条

[1]

一种调节CMOS器件阈值的方法及CMOS器件 [P].

余毅 ;

郭同健 .

中国专利 :CN117613006A ,2024-02-27

[2]

一种调节CMOS器件阈值的方法及CMOS器件 [P].

余毅 ;

郭同健 .

中国专利 :CN117613006B ,2024-04-02

[3]

一种调节CMOS器件阈值的方法及CMOS器件 [P].

叶甜春 ;

殷华湘 ;

张青竹 ;

赵超 .

中国专利 :CN107195631B ,2017-09-22

[4]

CMOS器件及调节CMOS器件阈值的方法 [P].

殷华湘 ;

姚佳欣 ;

王文武 ;

叶甜春 .

中国专利 :CN108511392A ,2018-09-07

[5]

CMOS器件及调节CMOS器件阈值的方法 [P].

殷华湘 ;

姚佳欣 ;

王文武 ;

叶甜春 .

中国专利 :CN108493157A ,2018-09-04

[6]

一种调节高K金属栅CMOS器件阈值的方法和CMOS器件 [P].

殷华湘 ;

张青竹 ;

赵超 ;

叶甜春 .

中国专利 :CN107180794B ,2017-09-19

[7]

一种调节高K金属栅CMOS器件阈值的方法和CMOS器件 [P].

程元伟 ;

郑淑云 ;

刘翰林 .

中国专利 :CN111129015A ,2020-05-08

[8]

一种调节高K金属栅CMOS器件阈值的方法 [P].

殷华湘 ;

张青竹 ;

赵超 ;

叶甜春 .

中国专利 :CN107180793B ,2017-09-19

[9]

CMOS器件制造方法及CMOS器件 [P].

崔金洪 .

中国专利 :CN104347509B ,2015-02-11

[10]

一种CMOS器件的制备方法及CMOS器件 [P].

刘云洁 ;

庄立强 ;

王永功 ;

任杰 ;

张翔 ;

马美玲 ;

赵海红 ;

陈鑫 ;

何成功 .

中国专利 :CN118800730B ,2025-01-28

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