一种调节高K金属栅CMOS器件阈值的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710448613.5

申请日：

2017-06-14

公开(公告)号：

CN107180793B

公开(公告)日：

2017-09-19

发明(设计)人：

殷华湘张青竹赵超叶甜春

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L27092

代理机构：

北京华沛德权律师事务所 11302

代理人：

房德权

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-09-19	公开	公开
2020-04-07	授权	授权
2021-07-23	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/8238 登记生效日:20210712 变更事项:专利权人变更前权利人:中国科学院微电子研究所变更后权利人:中国科学院微电子研究所变更事项:地址变更前权利人:100029 北京市朝阳区北土城西路3号变更后权利人:100021 北京市朝阳区北土城西路3号变更事项:专利权人变更后权利人:中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
2017-10-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请日:20170614

共 50 条

[1]

一种调节高K金属栅CMOS器件阈值的方法和CMOS器件 [P].

殷华湘 ;

张青竹 ;

赵超 ;

叶甜春 .

中国专利 :CN107180794B ,2017-09-19

[2]

一种调节高K金属栅CMOS器件阈值的方法和CMOS器件 [P].

程元伟 ;

郑淑云 ;

刘翰林 .

中国专利 :CN111129015A ,2020-05-08

[3]

一种调节CMOS器件阈值的方法及CMOS器件 [P].

叶甜春 ;

殷华湘 ;

张青竹 ;

赵超 .

中国专利 :CN107195631B ,2017-09-22

[4]

高K金属栅CMOS器件及其形成方法 [P].

库尔班·阿吾提 .

中国专利 :CN105448831A ,2016-03-30

[5]

一种调节CMOS器件阈值的方法及CMOS器件 [P].

余毅 ;

郭同健 .

中国专利 :CN117613006A ,2024-02-27

[6]

一种调节CMOS器件阈值的方法及CMOS器件 [P].

殷华湘 ;

张青竹 ;

赵超 ;

叶甜春 .

中国专利 :CN107195585A ,2017-09-22

[7]

一种调节CMOS器件阈值的方法及CMOS器件 [P].

余毅 ;

郭同健 .

中国专利 :CN117613006B ,2024-04-02

[8]

一种降低高K金属栅器件阈值电压波动的方法 [P].

何志斌 ;

景旭斌 .

中国专利 :CN105304568B ,2016-02-03

[9]

CMOS器件及调节CMOS器件阈值的方法 [P].

殷华湘 ;

姚佳欣 ;

王文武 ;

叶甜春 .

中国专利 :CN108511392A ,2018-09-07

[10]

CMOS器件及调节CMOS器件阈值的方法 [P].

殷华湘 ;

姚佳欣 ;

王文武 ;

叶甜春 .

中国专利 :CN108493157A ,2018-09-04

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