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一种调节高K金属栅CMOS器件阈值的方法和CMOS器件
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201710449946.X
申请日：
2017-06-14
公开(公告)号：
CN107180794B
公开(公告)日：
2017-09-19
发明(设计)人：
殷华湘
张青竹
赵超
叶甜春
申请人：
申请人地址：
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
IPC主分类号：
H01L218238
IPC分类号：
H01L27092
代理机构：
北京华沛德权律师事务所 11302
代理人：
房德权
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2017-09-19 | 公开 | 公开 |
| 2021-07-23 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/8238 登记生效日:20210709 变更事项:专利权人 变更前权利人:中国科学院微电子研究所 变更后权利人:中国科学院微电子研究所 变更事项:地址 变更前权利人:100029 北京市朝阳区北土城西路3号 变更后权利人:100021 北京市朝阳区北土城西路3号 变更事项:专利权人 变更后权利人:中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 2017-10-20 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请日:20170614 |
| 2019-11-12 | 授权 | 授权 |