混合极性的GaN器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610152348.1

申请日：

2016-03-17

公开(公告)号：

CN105789281B

公开(公告)日：

2016-07-20

发明(设计)人：

王现彬王颖莉刘振永于京生

申请人：

申请人地址：

050035 河北省石家庄市高新技术产业开发区长江大道6号

IPC主分类号：

H01L2945

IPC分类号：

H01L29778

代理机构：

石家庄国为知识产权事务所 13120

代理人：

王占华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-29	授权	授权
2016-08-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/45 专利申请号:2016101523481 申请日:20160317 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101674701626
2016-07-20	公开	公开

共 50 条

[1]

混合极性的GaN器件及其制备方法 [P].

黄捷 ;

张国庆 ;

程强 ;

张立星 ;

李剑博 .

中国专利 :CN114883404A ,2022-08-09

[2]

氮极性GaN晶体管 [P].

赵正平 ;

冯志红 ;

王现彬 ;

王元刚 ;

邹学锋 ;

吕元杰 ;

房玉龙 ;

敦少博 .

中国专利 :CN104409492A ,2015-03-11

[3]

蓝宝石衬底上的氮‑极性的半极性GaN层和器件 [P].

韩重 ;

本亚明·梁 .

中国专利 :CN106233471A ,2016-12-14

[4]

一种非极性GaN基LED [P].

高芳亮 .

中国专利 :CN218482266U ,2023-02-14

[5]

GaN器件及制备方法 [P].

莫炯炯 ;

王志宇 ;

陈华 ;

刘家瑞 ;

郁发新 .

中国专利 :CN111584619A ,2020-08-25

[6]

一种A1GaN/GaN HEMT器件的隔离方法 [P].

张进城 ;

董作典 ;

郝跃 ;

郑鹏天 ;

秦雪雪 ;

刘林杰 ;

王冲 ;

冯倩 .

中国专利 :CN101252100A ,2008-08-27

[7]

GaN器件的制作方法及GaN器件 [P].

陈一峰 .

中国专利 :CN105655236A ,2016-06-08

[8]

GaN基复合衬底、GaN基器件及其制作方法 [P].

刘凯 .

中国专利 :CN115410971A ,2022-11-29

[9]

GaN基复合衬底、GaN基器件及其制作方法 [P].

刘凯 .

中国专利 :CN115410971B ,2025-11-25

[10]

用于GaN器件的非对称塞块技术 [P].

A·库迪莫夫 ;

L·刘 ;

J·拉姆达尼 .

中国专利 :CN109616521A ,2019-04-12

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