混合极性的GaN器件及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202210441944.7

申请日：

2022-04-25

公开(公告)号：

CN114883404A

公开(公告)日：

2022-08-09

发明(设计)人：

黄捷张国庆程强张立星李剑博

申请人：

申请人地址：

313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发区陈王路与太湖路交叉口长兴国家大学科技园二分部北园8号厂房

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2910 H01L21335

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

罗泳文

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-09	公开	公开
2022-08-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20220425

共 50 条

[1]

混合极性的GaN器件 [P].

王现彬 ;

王颖莉 ;

刘振永 ;

于京生 .

中国专利 :CN105789281B ,2016-07-20

[2]

基于CMP制备N极性GaN的方法、N极性GaN及其应用 [P].

张丽 ;

于子呈 ;

于国浩 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN114023640A ,2022-02-08

[3]

基于CMP制备N极性GaN的方法、N极性GaN及其应用 [P].

张丽 ;

于子呈 ;

于国浩 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN114023640B ,2025-09-26

[4]

GaN器件及制备方法 [P].

王文博 ;

邱士起 ;

周康 ;

黄捷 ;

马飞 .

中国专利 :CN113053742A ,2021-06-29

[5]

GaN器件及制备方法 [P].

王文博 ;

邱士起 ;

周康 ;

黄捷 ;

马飞 .

中国专利 :CN113053742B ,2024-06-11

[6]

GaN器件及制备方法 [P].

郁发新 ;

莫炯炯 ;

吕贝贝 ;

赵文杰 .

中国专利 :CN113053749B ,2021-06-29

[7]

GaN器件结构及其制备方法 [P].

马飞 ;

邹鹏辉 ;

左亚丽 ;

朱伟超 .

中国专利 :CN113097291B ,2021-07-09

[8]

一种GaN器件及其制备方法 [P].

蒋洋 ;

唐楚滢 ;

于洪宇 ;

汪青 ;

汤欣怡 ;

杜方洲 .

中国专利 :CN113284948B ,2021-08-20

[9]

一种GaN器件及其制备方法 [P].

蒋洋 ;

于洪宇 ;

汪青 ;

郑韦志 ;

乔泽鹏 ;

范梦雅 .

中国专利 :CN112820774A ,2021-05-18

[10]

一种GaN器件及其制备方法 [P].

蒋洋 ;

于洪宇 ;

汪青 ;

郑韦志 ;

乔泽鹏 ;

范梦雅 .

中国专利 :CN112864242A ,2021-05-28

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